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알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자

  • 기술번호 : KST2015118992
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자(ZnO NP; Nano Particle)의 합성방법 및 이를 이용한 고분자 발광소자에 관한 것으로, ZnO NP의 극성 용매에 대한 분산 안정성과 광전소자의 전자 주입 및 수송 능력을 향상시킬 수 있는 고분자 발광소자를 합성하는데 있다. 보다 상세하게는 전자 이동도 특성을 가지는 ZnO NP의 표면을 감싸기 위해 공액 고분자 전해질의 구조에 알콕시(alkoxy) 곁사슬을 도입한 후, 계면활성제가 없는 ZnO NP을 합성하는 단계와, 전자 주입 장벽을 낮춰주는 공액 고분자 전해질(Conjugated Polyelectrolytes)을 이용하여 그 표면을 개질하는 단계와, 이를 이용한 고분자 발광소자(Polymer Light-Emitting Diode;PLED)를 제조하는 단계로 구성된다. 본 발명의 ZnO NP는 분산 안정성과 전자 주입 및 수송 능력을 향상시키는 광전 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020140030830 (2014.03.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1599906-0000 (2016.02.24)
공개번호/일자 10-2015-0108092 (2015.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20160303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전덕영 대한민국 대전광역시 유성구
2 최지해 대한민국 대전광역시 유성구
3 김경목 대한민국 대전광역시 유성구
4 이동찬 대한민국 대전광역시 유성구
5 서민원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0252774-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0051811-65
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0356922-51
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0099510-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0270333-66
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0605127-89
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0605122-51
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0828095-71
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1252965-66
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1252984-23
15 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0059259-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
알콕시 곁사슬이 도입된 공액 고분자 전해질을 만드는 단계와, 계면활성제가 없는 산화아연 나노입자를 합성하는 단계와, 공액 고분자 전해질을 리간드로 하여 산화아연 나노입자의 표면을 개질하는 단계로 구성되는, 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 제조방법에 있어서, 상기 알콕시 곁사슬은 C1-C20의 알콕시 화합물, 헤테로 원자가 한 개의 O인 C1-C20의 헤테로알킬기 및 에테르기(-CH2CH2O-) 중에서 선택된 어느 하나의 알콕시 화합물로부터 유도되는 것을 특징으로 하는, 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 제조방법
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삭제
3 3
제 1항에 있어서, 공액 고분자 전해질은 알킬과 알콕시 곁사슬을 교대로 가지고 있는 공액 고분자인 것을 특징으로 하는 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 공액 고분자 전해질은 Polyfluorene(PFO) 유도체, Poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)](F8BT) 유도체 및 Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) 유도체 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 산화아연 나노입자는 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질되어 시간에 따른 분산 안정성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 알콕시 곁사슬을 도입한 공액 고분자전해질에 의해 표면개질된 산화아연 나노입자의 제조방법
6 6
제 1항 및 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 산화아연 나노입자를 포함하는 고분자 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 세계수준의 연구중심대학 육성사업 저비용, 유연성 광전자 표지소자와 이를 위한 핵심재료 및 공정연구