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마이크로스피어 배열 기판의 제조 방법, 나노 가공 시스템 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015119402
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 가공 시스템은 광원; 상기 광원에서 조사된 광을 변조하는 복수개의 마이크로 미러를 포함하는 광변조 소자; 상기 광 변조 소자에서 반사된 광을 결상하는 복수개의 마이크로스피어를 포함하는 마이크로스피어 배열 기판; 그리고 상기 마이크로스피어 배열 기판과 평행하게 이격되어 위치하며 나노 입자 층이 형성된 대상 기판을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020110007934 (2011.01.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0086599 (2012.08.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고승환 대한민국 대전광역시 유성구
2 성형진 대한민국 대전광역시 유성구
3 여준엽 대한민국 대전광역시 유성구
4 강현욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 홍석준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0064979-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.01.26 무효 (Invalidation) 1-1-2016-0087302-01
7 보정요구서
Request for Amendment		 2016.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0018042-11
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2016.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0041421-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광원;상기 광원에서 조사된 광을 변조하는 복수개의 마이크로 미러를 포함하는 광변조 소자;상기 광 변조 소자에서 반사된 광을 결상하는 복수개의 마이크로스피어를 포함하는 마이크로스피어 배열 기판; 그리고상기 마이크로스피어 배열 기판과 평행하게 이격되어 위치하며 나노 입자 층이 형성된 대상 기판을 포함하는 나노 가공 시스템
2 2
제1항에서,상기 복수개의 마이크로 미러 중 하나의 마이크로 미러에서 반사된 광은 상기 복수개의 마이크로스피어 중 하나의 마이크로스피어에 입사하는 나노 가공 시스템
3 3
제1항에서,상기 마이크로스피어 배열 기판과 상기 대상 기판에 연결되어 있으며 상기 마이크로스피어 배열 기판과 상기 대상 기판의 위치를 조절하는 기판 위치 조절기를 더 포함하는 나노 가공 시스템
4 4
제1항에서,상기 대상 기판에 연결되어 있으며 상기 대상 기판의 미세 수평 위치를 조절하는 압전 작동기를 더 포함하는 나노 가공 시스템
5 5
제4항에서,상기 압전 작동기를 이용하여 상기 대상 기판의 수평 위치를 이동시켜 상기 대상 기판의 상기 나노 입자 필름에 나노 라인을 형성하는 나노 가공 시스템
6 6
제1항에서,상기 광원은 펄스 레이저 발생기 또는 연속파 레이저 발생기인 나노 가공 시스템
7 7
제1항에서,상기 마이크로스피어 배열 기판은 제1 절연 기판,상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수개의 마이크로스피어,상기 복수개의 마이크로스피어의 주변부에 형성되어 있는 복수개의 도전 정렬 패드를 포함하는 나노 가공 시스템
8 8
제7항에서,상기 대상 기판은 제2 절연 기판,상기 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 도전막,상기 도전막 위에 형성되어 있는 나노 입자층을 포함하는 나노 가공 시스템
9 9
제8항에서,상기 마이크로스피어 배열 기판의 도전 정렬 패드와 상기 대상 기판의 도전막에 연결되는 정전 용량 측정기를 더 포함하는 나노 가공 시스템
10 10
광원에서 조사된 광, 복수개의 마이크로 미러를 포함하는 광변조 소자, 그리고 복수개의 마이크로스피어를 포함하는 마이크로스피어 배열 기판을 정렬하는 단계;광원에서 조사된 광을 상기 광변조 소자를 이용하여 변조하는 단계;상기 광 변조 소자에서 반사된 광을 상기 마이크로스피어 배열 기판을 이용하여 나노 입자 필름이 형성된 대상 기판에 결상하여 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 나노 가공 방법
11 11
제10항에서,상기 복수개의 마이크로 미러 중 하나의 마이크로 미러에서 반사된 광은 상기 복수개의 마이크로스피어 중 하나의 마이크로스피어에 입사하는 나노 가공 방법
12 12
제11항에서,상기 마이크로스피어 배열 기판의 도전 정렬 패드와 상기 대상 기판의 도전막에 연결되는 정전 용량 측정기를 이용하여 상기 마이크로스피어 배열 기판과 상기 대상 기판 사이의 평형을 유지하는 나노 가공 방법
13 13
제12항에서,상기 광원은 펄스 레이저 발생기이고, 상기 펄스 레이저 발생기에서 발생한 광인 펄스 레이저는 상기 나노 입자 필름을 융발하여 나노 패턴을 형성하는 나노 가공 방법
14 14
제13항에서,상기 광원은 연속파 레이저 발생기이고, 상기 연속파 레이저 발생기에서 발생한 광인 연속파 레이저는 상기 나노 입자 필름을 소결하여 나노 패턴을 형성하는 나노 가공 방법
15 15
제1 절연 기판의 주변부 위에 복수개의 도전 정렬 패드를 형성하는 단계,상기 제1 절연 기판의 중앙부 위에 복수개의 홀 패턴을 형성하는 단계,상기 제1 절연 기판과 대향하는 커버 기판을 배치하는 단계,복수개의 마이크로스피어를 포함하는 혼합 용액을 상기 제1 절연 기판과 상기 커버 기판 사이에 주입하여 상기 홀 패턴에 상기 마이크로스피어를 배치하는 단계,상기 커버 기판을 제거하는 단계,상기 홀 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로스피어 배열 기판의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 복수개의 홀 패턴을 형성하는 단계는 상기 절연 기판 및 도전 정렬 패드 위에 감광막을 형성하는 단계,상기 감광막을 사진식각하여 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로스피어 배열 기판의 제조 방법
17 17
제15항에서,상기 홀 패턴의 크기는 상기 마이크로스피어의 직경보다 큰 마이크로스피어 배열 기판의 제조 방법
18 18
제15항에서,상기 복수개의 홀 패턴을 형성하는 단계 이후에상기 제1 절연 기판 위에 스페이서를 형성한 후 상기 스페이서 위에 커버 기판을 배치하는 마이크로스피어 배열 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.