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플렉시블 투명전극 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131344
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브(Cabon Nano Tube, CNT)/전도성 고분자 박막의 이형 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고, 소프트 리소그라피 공정을 사용하여 전도성 고분자 박막 패턴을 형성한 뒤 자기 조립층(Self Assembled Monolayer, SAM) 처리를 실시하여 별도로 정렬할 필요없이 상부에 탄소나노튜브(CNT)를 형성시켜 이형의 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것이다. CNT, 전도성 고분자, 이형 패턴, SAM
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01)
출원번호/일자 1020070103757 (2007.10.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0963204-0000 (2010.06.04)
공개번호/일자 10-2009-0038326 (2009.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20100610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 윤호규 대한민국 서울 서초구
3 이진우 대한민국 서울 광진구
4 허진우 대한민국 서울 성북구
5 박영민 대한민국 서울 성북구
6 동기영 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0737777-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0417878-88
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0760827-70
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0764767-11
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0764769-13
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0764774-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0011663-35
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0011656-15
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0233177-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 자기조립층을 형성하는 단계와; (b) 소프트 리소그라피 공정에 의해 상기 기판 상에 전도성 고분자층을 패터닝하는 단계와; (c) 상기 기판 상에 탄소나노튜브(CNT) 용액을 이용하여 상기 전도성 고분자층 상에 탄소나노튜브(CNT)층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
2 2
(a) 기판 상에 소프트 리소그라피 공정에 의해 자기조립층을 패터닝하는 단계와; (b) 상기 기판 상에 전도성 고분자 용액을 도포하여 상기 자기조립층 이외의 영역에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와; (c) 상기 기판 상에 탄소나노튜브(CNT) 용액을 이용하여 상기 전도성 고분자층 상에 탄소나노튜브(CNT)층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
3 3
(a) 기판 상에 소프트 리소그라피 공정에 의해 전도성 고분자층을 패터닝하는 단계와; (b) 상기 기판 상에 자기조립 물질을 도포하여 상기 전도성 고분자층 이외의 영역에 자기조립층을 형성하는 단계와; (c) 상기 기판 상에 탄소나노튜브(CNT) 용액을 이용하여 상기 전도성 고분자층 상에 탄소나노튜브(CNT)층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 자기조립층은 실란계 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
5 5
제 1항 내지 제 3항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브(CNT)층은 탄소나노튜브 용액내에 기판을 담그거나, 탄소나노튜브 용액을 기판상에 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 3항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 소프트 리소그라피 공정은 보조기판 상에 포토레지스터를 도포하여 패턴을 형성하는 단계와; PDMS를 보조기판 상에 도포하는 단계와; 상기 PDMS가 건조하여 PDMS 몰드가 형성되면 상기 보조기판을 분리하는 단계와; 상기 분리된 PDMS 몰드에 전도성 고분자 또는 자기조립 물질을 도포하여 상기 기판상에 스탬핑하여 전도성 고분자층 또는 자기조립층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 3항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 용액은 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤 (polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 투명전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.