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기판 상에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트절연층;
상기 게이트절연층 상에 나노 입자들로 이루어진 나노 물질층;
상기 나노 물질층을 포함하는 전체 구조 상에 형성된 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극
을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 나노 입자는 분극 성질을 나타내는 전이금속인 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,
상기 나노 입자는 은나노 입자인 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,
상기 나노 입자는 Au, Cr, Cu 및 Fe로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기 박막 트랜지스터
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5
제1항에 있어서,
상기 나노 물질층은 상기 나노 입자들이 상기 게이트절연층의 면적에 70％∼85％의 비율로 분포된 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 활성층은 펜타신(Pentacene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리티오펜(Polythiophene), 프탈로시아닌(Phthalocyanine), Poly(3-hexylthiophene), Poly(3-alkylthiophene), α-ω-hexahtiophene, α-ω-di-hexyl-hexathiophene, α-ω-hexathiophene, C60, Bis(dithienothiophene) 및 Dihexyl-anthradithiophene으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기 박막 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,
상기 게이트절연층은 유기물 또는 무기물인 유기 박막 트랜지스터
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제7항에 있어서,
상기 무기물은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막이고, 상기 유기물은 PVP(Poly 4-Vinlyphenol), PVA(Polyvinly Alcohol) 및 PI(Polyimide), PMMA(Polymethyl methacrylate)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극을 포함하는 기판 상에 게이트절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트절연층 상에 나노 입자들로 이루어진 나노 물질층을 형성하는 단계;
상기 나노 물질층을 포함하는 전체 구조 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
상기 활성층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 나노 입자는 분극 성질을 갖는 전이금속인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 나노 입자는 은나노 입자인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 나노 입자는 Au, Cr, Cu 및 Fe로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 나노 물질층은 상기 나노 입자들이 상기 게이트절연층의 면적에 70％∼85％의 비율로 분포된 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 나노 물질층을 형성하는 단계는,
상기 게이트절연층 상에 상기 나노 입자들을 포함하는 용액을 도포하는 단계; 및
경화를 통해 상기 용액에서 상기 나노 입자들만 석출하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제14항에 있어서,
상기 용액을 도포하는 단계는,
나노임프린트(Nano Imprint)법 또는 스핀코팅(Spin Coating)법을 사용하여 실시하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제14항에 있어서,
상기 경화는,
UV법 또는 열경화법으로 실시하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 활성층은 펜타신(Pentacene), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리티오펜(Polythiophene), 프탈로시아닌(Phthalocyanine), Poly(3-hexylthiophene), Poly(3-alkylthiophene), α-ω-hexahtiophene, α-ω-di-hexyl-hexathiophene, α-ω-hexathiophene, C60, Bis(dithienothiophene) 및 Dihexyl-anthradithiophene으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 게이트절연층은 유기물 또는 무기물인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 무기물은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막이고, 상기 유기물은 PVP(Poly 4-Vinlyphenol), PVA(Polyvinly Alcohol) 및 PI(Polyimide), PMMA(Polymethyl methacrylate)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나인 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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