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그래핀 나노 소자의 제조방법.

  • 기술번호 : KST2015134926
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀막 위에 마스크 역할을 할 수 있는 산화물 나노선를 정렬하고 이온빔으로 식각한다. 이온빔 식각 후, 남은 산화물 나노선을 제거하여 나노 스케일의 그래핀 구조를 제조한다. 그래핀, 나노 구조, 산화물 나노선, 이온빔 식각
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/3081(2013.01)
출원번호/일자 1020080076585 (2008.08.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0975641-0000 (2010.08.06)
공개번호/일자 10-2010-0016929 (2010.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울 송파구
2 이주형 대한민국 서울 관악구
3 김태현 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0562783-25
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0805327-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011542-73
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315256-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 나노 구조의 제조방법에 있어서, 그래핀막 위에 산화물 나노 구조를 흡착시키는 단계; 상기 그래핀막 위에 흡착된 산화물 나노 구조를 소정의 방향으로 정렬시키는 단계; 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여, 비등방성 식각을 수행하는 단계; 및 비등방성 식각 후 남은 상기 산화물 나노 구조를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 그래핀막은 기판 위에 흡착된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 그래핀막이 흡착된 기판을 상기 산화물 나노 구조가 포함된 용액에 담그어 상기 용액 속에 포함된 상기 산화물 나노 구조를 그래핀막에 흡착하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조가 상기 그래핀막에 임의의 방향으로 흡착되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 그래핀막에 흡착된 산화물 나노구조를 초순수에 담그고, 상기 산화물 나노구조가 정렬되길 원하는 방향으로 초순수의 바깥쪽으로 당겨주어 상기 산화물 나노 구조를 정렬하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 비등방성 식각은 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여 수행하는 이온 빔 식각인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조는 바나듐 옥사이드 나노선인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
8 8
그래핀 나노 구조의 제조방법에 있어서, 그래핀막 위에 금속 층을 형성하는 단계; 상기 금속 층 위의 제1 영역에 소수성 분자막을 가지는 분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 분자막이 형성되지 않은 상기 금속 층 위의 제2 영역에 산화물 나노 구조를 정렬시키는 단계; 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여, 비등방성 식각을 수행하는 단계; 및 상기 비등방성 식각 후 남은 상기 산화물 나노 구조와 금속층 나노 구조를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 그래핀막은 기판 위에 흡착된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조를 버퍼용액을 이용하여 제거한 후, 상기 금속층 나노 구조를 금속 부식액으로 제거하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 금속층 위의 제2 영역에 친수성 분자막이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 소수성 분자막은 ODT인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 친수성 분자막은 시스티아민인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 비등방성 식각은 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여 수행하는 이온 빔 식각인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
16 16
제8항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 나노구조는 바나듐 옥사이드 나노선인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
17 17
그래핀 나노 구조의 제조방법에 있어서, 그래핀막 위에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 위에 금속 층을 형성하는 단계; 상기 금속 층 위의 제1 영역에 소수성 분자막을 가지는 분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 분자막이 형성되지 않은 상기 금속 층 위의 제2 영역에 산화물 나노 구조를 정렬시키는 단계; 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여, 비등방성 식각을 수행하는 단계; 및 상기 비등방성 식각 후 남은 상기 산화물 나노 구조, 상기 금속층 나노 구조 및 상기 희생층 나노 구조를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 그래핀막은 기판 위에 흡착된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조를 버퍼용액을 이용하여 제거한 후, 상기 희생층 나노 구조를 제거하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 금속층은 금으로 이루어지며, 상기 희생층은 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 희생층 나노구조를 TMAH 용액을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
22 22
제18항에 있어서, 상기 금속층 위의 제2 영역에 친수성 분자막이 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
23 23
제18항에 있어서, 상기 비등방성 식각은 상기 정렬된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여 수행하는 이온 빔 식각인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
24 24
제17항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 나노구 조는 바나듐 옥사이드 나노선인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조의 제조방법
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2 JP04825863 JP 일본 FAMILY
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5 US20100032409 US 미국 FAMILY

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1 CN101643199 CN 중국 DOCDBFAMILY
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3 DE102008060644 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE102008060644 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2010041023 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP4825863 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2010032409 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8343366 US 미국 DOCDBFAMILY
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