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물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015135189
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물질의 결정구조를 이용하여 나노 크기의 패턴을 손쉽고 명확하게 형성하는 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법은 라인을 정의하는 격자이미지를 갖는 대상물질을 챔버에 위치시킨 후, 대상물질에 제1전자빔을 조사하여 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 대상물질을 통과한 제1전자빔에 노출시킨다. 그리고 격자이미지를 회전시킨 후, 대상물질에 제2전자빔을 조사하여 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 대상물질을 통과한 제2전자빔에 노출시킨다. 그리고 전자빔 레지스트를 현상(development)하여, 전자빔 레지스트 패턴을 형성하고, 전자빔 레지스트 패턴 하부에 형성되어 있는 하지층을 전자빔 레지스트 패턴을 통해 식각하여 패턴을 형성한다.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 1/76 (2012.01.01) G03F 7/16 (2006.01.01) G03F 7/06 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01) G03F 7/70625(2013.01)
출원번호/일자 1020090072674 (2009.08.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1095367-0000 (2011.12.12)
공개번호/일자 10-2011-0015120 (2011.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20111216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 김현미 대한민국 서울 관악구
3 이민현 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0482929-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0032193-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0056483-93
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0229209-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0557437-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버에 위치한 결정구조를 갖는 대상물질에 전자빔을 조사시킴으로써, 상기 대상물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭에 의해 형성된 격자이미지로부터 패턴을 형성하는 방법으로, 라인을 정의하는 격자이미지를 갖는 대상물질을 상기 챔버에 위치시키는 단계; 상기 대상물질에 제1전자빔을 조사하여, 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 상기 대상물질을 통과한 제1전자빔에 노출시키는 제1노광 단계; 상기 격자이미지를 회전시키는 단계; 상기 대상물질에 제2전자빔을 조사하여, 상기 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 상기 대상물질을 통과한 제2전자빔에 노출시키는 제2노광 단계; 상기 전자빔 레지스트를 현상(development)하여, 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전자빔 레지스트 패턴 하부에 형성되어 있는 하지층을 상기 전자빔 레지스트 패턴을 통해 식각하여 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 격자이미지를 회전시키는 단계는 상기 격자이미지가 회전되도록, 상기 전자빔의 조사방향을 회전축 방향으로 하여 상기 대상물질을 회전시키는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
3 3
챔버에 위치한 결정구조를 갖는 대상물질에 전자빔을 조사시킴으로써, 상기 대상물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭에 의해 형성된 격자이미지로부터 패턴을 형성하는 방법으로, 라인을 정의하는 격자이미지를 갖는 대상물질을 상기 챔버에 위치시키는 단계; 상기 대상물질에 제1전자빔을 조사하여, 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 상기 대상물질을 통과한 제1전자빔에 노출시키는 제1노광 단계; 상기 전자빔의 조사방향을 회전축 방향으로 하여 상기 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 회전시키는 단계; 상기 대상물질에 제2전자빔을 조사하여, 상기 전자빔 레지스트가 형성되어 있는 기판을 상기 대상물질을 통과한 제2전자빔에 노출시키는 제2노광 단계; 상기 전자빔 레지스트를 현상(development)하여, 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전자빔 레지스트 패턴 하부에 형성되어 있는 하지층을 상기 전자빔 레지스트 패턴을 통해 식각하여 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전자빔의 단위 면적당 전하량과 상기 제2전자빔의 단위 면적당 전하량이 동일한 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트는 네거티브(nagetive) 전자빔 레지스트를 이용하여, 상기 기판 상에 복수의 나노선(nanowire)이 행 및 열로 교차 배열된 형태의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트는 포지티브(positive) 전자빔 레지스트를 이용하여, 상기 기판 상에 복수의 돌출부가 행 및 열로 서로 이격되게 배열된 형태의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트는 현상시 단위 면적당 임계 전하량 이상의 전자빔이 조사되는 부분이 제거되지 않는 네거티브 전자빔 레지스트이고, 나노점(nanodot) 패턴을 형성하기 위해, 상기 제1전자빔의 단위 면적당 전하량과 제2전자빔의 단위 면적당 전하량 각각은 상기 임계 전하량보다 작고, 상기 제1전자빔의 단위 면적당 전하량과 제2전자빔의 단위 면적당 전하량의 합은 상기 임계 전하량보다 크게 되도록, 상기 제1전자빔과 제2전자빔의 단위 면적당 전하량을 설정하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 특정연구개발사업 원자이미지를 이용한 양자점 형성기술 개발