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그래핀 나노 구조 용액 및 그래핀 소자의 제조방법.

  • 기술번호 : KST2015136875
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다층의 그래핀에 산화물 나노선을 마스크로 한 비등방성 식각을 이용하여, 균일한 그래핀 나노 구조 용액을 생성한다. 분자막이 패턴된 기판을 그래핀 나노 구조 용액에 침지하여, 그래핀이 패턴된 기판에 정렬하도록 함으로써 그래핀 소자를 제조한다. 그래핀, 자기정렬, 나노구조, 그래핀 용액
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080076584 (2008.08.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0016928 (2010.02.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울 송파구
2 고준태 대한민국 경기 광명시 철

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0562782-80
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0805327-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022264-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315783-04
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0550329-90
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 나노 구조 용액의 제조방법에 있어서, 다층의 그래핀 위에 타겟 나노 구조를 흡착시키는 단계; 상기 흡착된 타겟 나노 구조를 마스크로 사용하여 비등방성 식각을 수행하고, 다층의 그래핀 나노 구조를 생성하는 단계; 상기 생성된 다층의 그래핀 나노 구조를 분산용매에 분산시켜, 그래핀 나노 구조가 분산된 용액을 생성하는 단계를 포함하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 타겟 나노 구조는 산화물 나노 구조인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조는 반데르발스 힘으로 상기 다층의 그래핀 나노 구조 위에 흡착되는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조는 바나듐 옥사이드 나노선인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 분산용매는 오-디클로벤젠인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 분산용매는 1, 2, - 디클로로에탄인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 분산용매는 폴리 (m-페닐렌비닐렌 -코-2,5-디오톡시-p-페닐렌비닐렌)인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비등방성 식각은 상기 흡착된 타겟 나노 구조를 마스크로 사용하여 수행하는 이온 빔 식각인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 구조 용액의 제조방법
9 9
그래핀 나노 소자의 제조방법에 있어서, 기판 위의 제1 영역에 소수성 분자막을 가지는 분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 분자막이 형성되지 않은 기판 위의 제2 영역에 그래핀 나노 구조를 정렬시키는 단계를 포함하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 분자막 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 기판 위의 제2 영역에 친수성 분자막이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
12 12
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자막 패턴이 형성된 기판을 그래핀 나노 구조가 분산된 용액에 침지하여, 상기 기판 위의 제2 영역에 그래핀 나노 구조를 정렬시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
13 13
그래핀 나노 소자의 제조방법에 있어서, 다층의 그래핀 위에 산화물 나노 구조를 흡착시키는 단계; 상기 흡착된 산화물 나노 구조를 마스크로 사용하여 비등방성 식각을 수행하고, 다층의 그래핀 나노 구조를 생성하는 단계; 상기 생성된 다층의 그래핀 나노 구조를 분산용매에 분산시켜, 그래핀 나노 구조가 분산된 용액을 생성하는 단계; 기판 위의 제1 영역에 소수성 분자막을 가지는 분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 분자막 패턴이 형성된 기판을 상기 그래핀 나노 구조가 분산된 용액에 침지하여, 상기 소수성 분자막이 형성되지 않은 기판 위의 제2 영역에 그래핀 나노 구조를 정렬시키는 단계를 포함하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조는 반데르발스 힘으로 상기 다층의 그래핀 나노 구조 위에 흡착되는 그래핀 나노 소자의 제조방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 산화물 나노 구조는 바나듐 옥사이드 나노선인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 분자막 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 기판 위의 제2 영역에 친수성 분자막이 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
18 18
제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비등방성 식각은 상기 흡착된 산화물 나노구조를 마스크로 사용하여 수행하는 이온 빔 식각인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US20100035186 US 미국 FAMILY

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1 US2010035186 US 미국 DOCDBFAMILY
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