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고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140893
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법에서는, 기판 상에 제1 전극을 형성한 다음, 제1 전극 상에 나노입자층을 형성하고, 나노입자층 상에 고분자 박막을 형성한 후, 고분자 박막 상에 제2 전극을 형성한다. 금속 산화물 반도체 나노입자, 스핀코팅, 열처리
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070081633 (2007.08.14)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0017128 (2009.02.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 손동익 대한민국 서울 마포구
3 임재현 대한민국 서울 동작구
4 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0587392-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0022861-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0282830-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0498149-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0498165-94
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656280-09
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0570116-82
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2009.02.23 수리 (Accepted) 7-8-2009-0006024-42
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극 상에 나노입자층을 형성하는 단계;(c) 상기 나노입자층 상에 고분자 박막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 고분자 박막 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는,금속 화합물 분말을 용매에 용해하여 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액을 상기 제1 전극이 형성된 기판에 스핀코팅하여 막을 형성하는 단계; 및상기 막으로부터 용매를 제거하는 산화 열처리를 실시하여 상기 금속 화합물의 산화를 통해 금속 산화물 반도체 나노입자층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자는 PVK(poly-N-vinylcarbazole) 또는 MEH-PPV(poly(2-methhoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-pheneylenevinylene)) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속 화합물은 아세트산 아연 이수화물(zinc acetate dihydrate, [(CH3COO)2Zn·2H2O]), 질산 아연 육수화물(zinc nitrate hexahydrate, [Zn(NO3)·6H2O]), 아세트산 구리 일수화물(copper acetate monohydrate, [(CH3COO)2Cu·H2O]) 및 아세트산 마그네슘 사수화물(magnesium acetate tetrahydrate, [(CH3COO)2Mg·4H2O]) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 용매는 이소프로필, 에탄올, 메탄올, 아세톤 및 탈이온수 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 스핀코팅시의 회전수는 6000 rpm 이상 10000 rpm 이하인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 열처리는 350℃ 내지 900℃에서 1시간 내지 2시간 실시하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노입자는 ZnO이고, 상기 제1 전극은 ITO(indium-tin-oxide)이며, 상기 제2 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 마그네슘-은(MgAg) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 교차되게 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009022774 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009022774 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 과학기술부, 한국과학재단 국가지정연구실 사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구