| [KST2016009033][서울대학교] |
나노 팁 구조를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법(RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING NANO-SCALE TIP, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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| [KST2015016897][창원대학교] |
단일 폴리 이이피롬 |
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| [KST2014011450][한국과학기술연구원] |
휘발 성분이 포함된 다성분 산화물 강유전체 박막의 제조방법 |
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| [KST2015013118][연세대학교] |
저항 변화 메모리 및 그 소자의 제조 방법 |
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| [KST2016009035][서울대학교] |
나노 팁 구조와 나노 와이어를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법(RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING NANO-SCALE TIP AND NANOWIRE, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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| [KST2016008982][고려대학교] |
중성입자빔 발생 장치를 이용한 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 제조 방법(METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR FABRICATION USING NEUTRAL PARTICLE BEAM GENERATING APPARATUS) |
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| [KST2014053118][서울대학교] |
수직 적층된 ＳＳＬ을 갖는 스타구조 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법 |
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| [KST2014010735][상지대학교] |
수직자기이방성을 갖는 스핀밸브 자기저항소자 |
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| [KST2014053778][성균관대학교] |
플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그의 제조 방법 |
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| [KST2014053168][서울대학교] |
3차원 적층형 메모리 어레이의 컨택 형성 방법 |
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| [KST2014009919][한양대학교] |
실리콘 카바이드 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2016008748][고려대학교] |
다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자(Multilayered magnetic thin film stack and nonvolatile memory device having the same) |
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| [KST2014020464][연세대학교] |
유-무기 하이브리드 비파괴읽기 박막트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 제조방법 |
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| [KST2015013000][연세대학교] |
다층 터널 배리어 선택소자를 이용한 저항 스위칭 메모리 소자 제조 |
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| [KST2015013115][연세대학교] |
저항 스위칭 메모리 셀의 비선형 특성 향상 기술 |
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| [KST2016004788][연세대학교] |
수직형 채널 구조의 반도체 메모리 소자 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL CHANNEL STRUCTURE) |
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| [KST2014000655][고려대학교] |
나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법 |
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| [KST2014058522][서울대학교] |
3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2014007717][대덕특구지원본부] |
탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2014011555][한국과학기술원] |
비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법 |
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| [KST2019010888][한국과학기술연구원] |
자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2019001244][한국외국어대학교] |
스위칭 소자, 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2014013951][인하대학교] |
다중벽 탄소 나노 튜브 기반 비휘발성 메모리 소자의 설계 및 동작 방법 |
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| [KST2014053904][성균관대학교] |
플렉서블 비휘발성 메모리 소자용 강유전체 캐패시터, 플렉서블 비휘발성 강유전체 메모리 소자 및 그의 제조 방법 |
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| [KST2015011411][광주과학기술원] |
문턱 스위칭과 메모리 스위칭 특성을 동시에 갖는 저항 변화 메모리 소자, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 |
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| [KST2016006541][포항공과대학교 산학협력단] |
메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법(Organic doping material for memory device, nonvolatile memory device including the same and method of manufacturing the same) |
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| [KST2016006826][포항공과대학교 산학협력단] |
시냅스 모방 소자 및 이의 제조방법(Device imitating synaptic and method of manufacturing thereof) |
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| [KST2019014575][한국과학기술원] |
자가 파괴가 가능한 플래시 메모리 칩 및 그 보안 동작 방법 |
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| [KST2016011491][포항공과대학교 산학협력단] |
저항성 메모리 장치(Resistive memory devices) |
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| [KST2014011454][한국과학기술연구원] |
하나의트랜지스터를사용한메모리소자및그제조방법 |
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