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폴리머 또는 레지스트 패턴과 이를 이용한 몰드, 금속 박막패턴, 금속 패턴 및 이들의 형성 방법
- 기술번호 : KST2016003638
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 폴리머 또는 레지스트 패턴과 이를 이용한 몰드, 금속 박막 패턴, 금속 패턴 및 이들의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법은 (a) 기판 상에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계, (b) 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광부분을 결정하는 단계, (c) 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 빛 굴절막과 빛 확산막을 배치하는 단계 및 (d) 빛 굴절막과 빛 확산막을 투과하는 빛을 폴리머 또는 레지스트 막의 노광부분에 조사하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따른 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면 다양한 경사 및 모양을 가진 3차원 비대칭 구조의 폴리머 또는 레지스트 패턴과 이를 이용하여 몰드, 금속 박막 패턴, 금속 패턴을 간편하게 형성할 수 있는 효과가 있다. 3차원 비대칭, 빛 굴절막, 빛 확산막, 폴리머 패턴, 레지스트 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴 구조, 몰드, 프리즘(prism), 디퓨져(diffuser), 고분자 분산형 액정(polymer dispersed liquid crystal-PDLC) |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/027 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070033378 (2007.04.04) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0817101-0000 (2008.03.20) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080326) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.04.04) |
| 심사청구항수 | 40 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전진완 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 윤준보 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 임굉수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0261680-60 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0012039-38 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.03.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0152539-98 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 기판 상에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광부분을 결정하는 단계;(c) 상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 빛 굴절막과 빛 확산막을 배치하는 단계; 및(d) 상기 빛 굴절막과 상기 빛 확산막을 투과하는 빛을 상기 폴리머 또는 레지스트 막의 상기 노광부분에 조사하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토마스크, 임베디드마스크 또는 금속패턴을 형성하여 상기 노광부분을 결정하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 마이크로미러 어레이를 배치하여 상기 노광 부분을 결정하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 기판은 투명기판인, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 (b)단계는, 상기 투명기판의 상부 또는 하부에 포토마스크, 임베디드마스크 또는 금속패턴을 형성하여 상기 노광부분을 결정하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 6 |
6 제1항에 있어서,상기 빛 굴절막은,단일 경사면, 다중 경사면, 단일 곡면, 다중 곡면, 원뿔 또는 다각뿔이 반복적으로 형성된 프리즘 또는 프리즘 시트인, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 7 |
7 제1항에 있어서,상기 빛 확산막은,디퓨져 또는 고분자 분산형 액정막인, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 8 |
8 제1항에 있어서,상기 빛 확산막의 확산정도를 순차적으로 변화시켜 조절하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 9 |
9 제1항에 있어서,상기 빛 확산막의 확산정도를 상기 빛 확산막의 부분별로 조절하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 10 |
10 제7항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 인가전압 또는 상기 고분자 분산형 액정막에 입사되는 빛의 인가시간을 순차적으로 변화시켜 조절하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 11 |
11 제7항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막에 인가되는 인가전압 또는 상기 고분자 분산형 액정막에 입시되는 빛의 인가시간을 부분별로 조절하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 12 |
12 제7항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면 또는 어느 한 단면 상에 패터닝된 전극을 형성하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 13 |
13 제7항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하여 패시브 매트릭스 구동하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 14 |
14 제7항에 있어서,상기 고분자 분산형 액정막의 양 단면에 위치하는 전극 중 하나 이상을 패터닝하여 스위칭 소자를 통해 액티브 매트릭스 구동하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 15 |
15 제1항에 있어서,(e) 상기 빛 확산막과 상기 폴리머 또는 레지스트 막 사이의 상기 빛 확산막의 표면에 복수의 투명 전도막을 형성하는 단계를 더 포함하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 16 |
16 제15항에 있어서,상기 복수의 투명 전도막 각각에 서로 다른 전압을 인가하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 17 |
17 제1항에 있어서,상기 (d)단계는,상기 감광성 폴리머 또는 레지스트 막의 바닥까지 노광시켜 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 18 |
18 제1항에 있어서,상기 (a)단계는,상기 기판 상에 전사막을 형성하는 단계; 및상기 전사막 상에 상기 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계를 포함하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 19 |
19 제18항에 있어서,(e) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴의 식각하여 상기 전사막에 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 전사시켜 형성하는 단계를 더 포함하는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| 20 |
20 제1항에 의한 폴리머 또는 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 형성되며, 상기 기판과 수직 또는 수평 방향으로 비대칭적인 패턴을 가지는, 폴리머 또는 레지스트 패턴 |
| 21 |
21 (a) 기판 상에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광부분을 결정하는 단계;(c) 상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 빛 굴절막과 빛 확산막을 배치하는 단계;(d) 상기 빛 굴절막과 상기 빛 확산막을 투과하는 빛을 상기 폴리머 또는 레지스트 막의 상기 노광부분에 조사하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(e) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 몰드형성물질을 도포하여 고화시키는 단계; 및(f) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 고화된 상기 몰드형성물질을 분리하는 단계를 포함하는, 몰드 형성 방법 |
| 22 |
22 제21항에 있어서, 상기 몰드형성물질은,플라스틱 또는 폴리머인, 몰드 형성 방법 |
| 23 |
23 제21항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토마스크, 임베디드마스크 또는 금속패턴을 형성하여 상기 노광부분을 결정하는, 몰드 형성 방법 |
| 24 |
24 제21항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 마이크로미러 어레이를 배치하여 상기 노광 부분을 결정하는, 몰드 형성 방법 |
| 25 |
25 제21항에 있어서,상기 빛 굴절막은,단일 경사면, 다중 경사면, 단일 곡면, 다중 곡면, 원뿔 또는 다각뿔이 반복적으로 형성된 프리즘 또는 프리즘 시트인, 몰드 형성 방법 |
| 26 |
26 제21항에 있어서,상기 빛 확산막은,디퓨져 또는 고분자 분산형 액정막인, 몰드 형성 방법 |
| 27 |
27 제21항의 몰드 형성 방법에 의해 형성되고, 상기 기판과 수직 또는 수평 방향으로 비대칭적인 패턴을 가지는, 몰드 구조 |
| 28 |
28 (a) 기판 상에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광부분을 결정하는 단계;(c) 상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 빛 굴절막과 빛 확산막을 배치하는 단계;(d) 상기 빛 굴절막과 상기 빛 확산막을 투과하는 빛을 상기 폴리머 또는 레지스트 막의 상기 노광부분에 조사하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계(e) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계; 및(f) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 29 |
29 제28항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토마스크, 임베디드마스크 또는 금속패턴을 형성하여 상기 노광부분을 결정하는, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 30 |
30 제28항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 마이크로미러 어레이를 배치하여 상기 노광 부분을 결정하는, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 31 |
31 제28항에 있어서, 상기 (e)단계는,스퍼터링을 포함한 박막 증착법 또는 도금법을 포함한 후막 형성법에 의해 상기 금속 박막을 형성하는, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 32 |
32 제28항에 있어서,상기 빛 굴절막은,단일 경사면, 다중 경사면, 단일 곡면, 다중 곡면, 원뿔 또는 다각뿔이 반복적으로 형성된 프리즘 또는 프리즘 시트인, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 33 |
33 제28항에 있어서,상기 빛 확산막은,디퓨져 또는 고분자 분산형 액정막인, 금속 박막 패턴 형성 방법 |
| 34 |
34 제28항에 의한 금속 박막 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 상기 기판의 수직 또는 수평방향으로 비대칭적인 패턴을 가지는, 금속 박막 패턴 |
| 35 |
35 (a) 기판 상에 감광성 폴리머 또는 레지스트를 도포하여 폴리머 또는 레지스트 막을 형성하는 단계;(b) 상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에서 노광부분을 결정하는 단계;(c) 상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 빛 굴절막과 빛 확산막을 배치하는 단계;(d) 상기 빛 굴절막과 상기 빛 확산막을 투과하는 빛을 상기 폴리머 또는 레지스트 막의 상기 노광부분에 조사하여 폴리머 또는 레지스트 패턴을 형성하는 단계(e) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴 상에 금속 박막을 증착하는 단계;(f) 상기 금속 박막 상에 도금법에 의해 금속 패턴을 형성하는 단계; 및(g) 상기 폴리머 또는 레지스트 패턴으로부터 형성된 금속 패턴을 분리하는 단계를 포함하는, 금속 패턴 형성 방법 |
| 36 |
36 제35항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막 상에 포토마스크, 임베디드마스크 또는 금속패턴을 형성하여 상기 노광부분을 결정하는, 금속 패턴 형성 방법 |
| 37 |
37 제35항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 폴리머 또는 레지스트 막으로 노광되는 빛의 경로 상에 마이크로미러 어레이를 배치하여 상기 노광 부분을 결정하는, 금속 패턴 형성 방법 |
| 38 |
38 제35항에 있어서,상기 빛 굴절막은,단일 경사면, 다중 경사면, 단일 곡면, 다중 곡면, 원뿔 또는 다각뿔이 반복적으로 형성된 프리즘 또는 프리즘 시트인, 금속 패턴 형성 방법 |
| 39 |
39 제35항에 있어서,상기 빛 확산막은,디퓨져 또는 고분자 분산형 액정막인, 금속 패턴 형성 방법 |
| 40 |
40 제35항의 금속 패턴 형성 방법에 의해 형성되고, 상기 기판과 수직 또는 수평 방향으로 비대칭적인 패턴을 가지는, 금속 패턴 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP20281996 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | US08278028 | US | 미국 | FAMILY |
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DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101281365 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 4 | US2008248264 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0817101-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070404 출원 번호 : 1020070033378 공고 연월일 : 20080326 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080320 청구범위의 항수 : 40 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 폴리머 또는 레지스트 패턴과 이를 이용한 몰드, 금속 박막패턴, 금속 패턴 및 이들의 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 933,000 원 | 2008년 03월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 920,000 원 | 2011년 03월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 920,000 원 | 2012년 02월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 920,000 원 | 2013년 03월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,620,000 원 | 2014년 03월 03일 | 납입 |
| 제 8 - 11 년분 | 금 액 | 7,714,000 원 | 2015년 02월 26일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 1,220,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,280,000 원 | 2020년 03월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0261680-60 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.02.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0012039-38 |
| 4 | 등록결정서 | 2008.03.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0152539-98 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415079449 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004200-2007-23 |
| 연구과제명 | MEMS기술을이용한디지털마이크로미러디스플레이소자및시스템개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200506~200803 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415079449 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004200-2007-23 |
| 연구과제명 | MEMS기술을이용한디지털마이크로미러디스플레이소자및시스템개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200506~200803 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020070103410] | 마이크로 미러 및 이를 이용한 마이크로 미러 어레이 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020070033378] | 폴리머 또는 레지스트 패턴과 이를 이용한 몰드, 금속 박막패턴, 금속 패턴 및 이들의 형성 방법 | 새창보기 |
| [1020060073854] | 폴리머 패턴, 금속 스탬퍼 및 마이크로렌즈 어레이 형성방법 | 새창보기 |
| [1020060033214] | [차세대 디스플레이]마이크로렌즈를 이용한 디스플레이 장치 | 새창보기 |
| [1020050068978] | 마이크로미러 소자의 미러 지지대를 도금 공정을 이용하여 제작하는 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014046962][한국과학기술원] | 헤테로다인 광간섭 노광 | 새창보기 |
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| [KST2014046966][한국과학기술원] | 패턴 제조 방법 및 패턴 전사 장치, 이를 적용한 플렉서블 디스플레이 패널, 플렉서블 태양전지, 전자책, 박막 트랜지스터, 전자파 차폐시트, 플렉서블 인쇄회로기판 | 새창보기 |
| [KST2015112289][한국과학기술원] | 스크린 마스크와 연성몰드를 이용한 다중 미세 형상제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014046882][한국과학기술원] | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2014047235][한국과학기술원] | LCP를 이용한 플렉서블 전자소자 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 메모리 소자 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015112161][한국과학기술원] | 나노 트랜스퍼 몰딩 및 마스터 기판을 이용한리소그래피의 방법과 나노 트랜스퍼 몰드 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112954][한국과학기술원] | 진동부가 충진을 통한 고종횡비 미세 패턴제작방법 | 새창보기 |
| [KST2014012437][한국과학기술원] | 고분자 몰드를 이용하여 다양한 미세 패턴을 형성하는 방법 | 새창보기 |
| [KST2014044817][한국과학기술원] | 폴리머 또는 레지스트 패턴 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 및 이들의 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015113030][한국과학기술원] | 잉크젯 프린터를 이용한 세라믹 박막 제조 방법 및 그시스템 | 새창보기 |
| [KST2014046902][한국과학기술원] | 대규모 폴리곤의 래스터화를 통한 마스크리스 노광 | 새창보기 |
| [KST2014046918][한국과학기술원] | 패턴전사방법 | 새창보기 |
| [KST2014046919][한국과학기술원] | 패턴형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015112087][한국과학기술원] | 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112691][한국과학기술원] | 대면적 고하중을 위한 틸트 스테이지 | 새창보기 |
| [KST2015112982][한국과학기술원] | 노광 장치, 노광 방법 및 그에 따른 패턴 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015113136][한국과학기술원] | 3차원 집적회로 집적화 시 상부 층 실리콘의 품질을 유지하기 위한 웨이퍼 가공 방법 | 새창보기 |
| [KST2014047250][한국과학기술원] | 저온 비젖음 현상과 극미세 패턴을 갖는 템플렛을 이용한 표면증강라만분광측정용대면적금속나노섬형성 방법. | 새창보기 |
| [KST2014067219][한국과학기술원] | [차세대 디스플레이]UV 레이저를 사용한 미세 금속배선 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2015113053][한국과학기술원] | 초소수성 및 초발수성 표면을 갖는 패턴 및 그 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015113114][한국과학기술원] | 3차원 ＩＣ 집적화 시 두께 및 하부 층 구조에 무관한 웨이퍼 얼라인먼트 방법 | 새창보기 |
| [KST2014007800][한국과학기술원] | 폴리머 패턴 및 이를 이요한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드 구조 및 이들의 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2014046968][한국과학기술원] | 소수성 코팅층 선택적 제거 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112086][한국과학기술원] | 미세전자 및 광학소자제작에 유용한 규칙적인 양각 패턴의형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015112266][한국과학기술원] | 스핀 코팅 장치 및 방법 | 새창보기 |
| [KST2015113051][한국과학기술원] | 진동부가를 통한 패턴제작방법 | 새창보기 |
| [KST2014046568][한국과학기술원] | 폴리머 주형, 그 제조방법, 이를 이용한 미세유체 채널 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014047049][한국과학기술원] | 스트럭처드 주문형 반도체의 레이어 리소그래피 방법, 설계 방법 및 이에 사용되는 타일 마스크 셋 | 새창보기 |
| [KST2015112994][한국과학기술원] | 3차원 미세패턴 형성장치 | 새창보기 |
| [KST2015112549][한국과학기술원] | 반사형 표시소자 및 광도파로의 응용을 위한 픽셀화된 광결정 필름 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
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