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폴리머 패턴 형성방법 및 이를 이용한 금속 박막 패턴,금속 패턴, 마이크로셔터, 마이크로렌즈 어레이 스탬퍼,플라스틱 몰드의 형성방법

  • 기술번호 : KST2016003640
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 폴리머 패턴 형성방법 및 이를 이용한 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드의 형성방법 등에 관한 것이다.이러한 본 발명의 폴리머 패턴 형성방법은 투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 불투명한 마스크 패턴을 매립하도록 상기 투명기판의 일면 상에 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계 및 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 상기 감광성의 폴리머 막을 노광하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 대면적에 균일한 모양의 폴리머 패턴을 형성할 수 있고, 이것을 이용하여 균일한 특성을 가지는 마이크로 셔터를 제작할 수 있는 등의 효과가 있다.폴리머 패턴, 금속 박막 패턴, 금속 패턴, 플라스틱 몰드, 디퓨저, 마이크로셔터(microshutter), 마이크로렌즈 어레이 스탬퍼(microlens array stamper), 마이크로렌즈 어레이(microlens array)
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020060059530 (2006.06.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0773588-0000 (2007.10.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
2 이경호 대한민국 대전광역시 유성구
3 이주형 대한민국 대전광역시 유성구
4 장성일 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0468006-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0036174-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0332648-09
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0444451-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0585051-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0585026-30
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0581430-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 불투명한 마스크 패턴이 형성된 투명기판의 일면 상에 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계; 및입사되는 광을 산란시키는 디퓨저로 생성된 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 상기 감광성의 폴리머 막을 노광하는 단계를 포함하는 폴리머 패턴 형성방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 투명기판의 타면과 상기 디퓨저 사이에 공기보다 굴절률이 큰 충진재층을 형성하는 단계를 더 포함하는 폴리머 패턴 형성방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 감광성의 폴리머 막은 상기 불투명한 마스크 패턴을 매립하여 상기 투명기판의 일면 상에 형성되는 폴리머 패턴 형성방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 투명기판의 일면과 접하는 폴리머 막의 표면으로부터 상기 투명기판의 일면과 수직방향으로 오목하고, 상기 투명기판의 일면과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 오목한 패턴을 형성하고,상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단된 폴리머 패턴 형성방법
6 6
투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 불투명한 마스크 패턴이 형성된 투명기판의 일면 상에 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계;입사되는 광을 산란시키는 디퓨저로 생성된 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 패턴 상에 금속 박막을 도포하는 단계를 포함하는 금속 박막 패턴 형성방법
7 7
삭제
8 8
제6 항에 있어서,상기 투명기판의 타면과 상기 디퓨저 사이에 공기보다 굴절률이 큰 충진재층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 박막 패턴 형성방법
9 9
제6 항에 있어서,상기 감광성의 폴리머 막은 상기 불투명한 마스크 패턴을 매립하여 상기 투명기판의 일면 상에 형성되는 금속 박막 패턴 형성방법
10 10
제6 항에 있어서,상기 투명기판의 일면과 접하는 폴리머 막의 표면으로부터 상기 투명기판의 일면과 수직방향으로 오목하고, 상기 투명기판의 일면과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 오목한 패턴을 형성하고,상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단된 폴리머 패턴을 형성하는금속 박막 패턴 형성방법
11 11
기판 상에 제6 항의 금속 박막 패턴 형성방법으로 제1 금속 박막 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 상기 제1 금속 박막 전극에 대향하도록 제2 금속 박막 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 금속 박막 전극 상에 상기 제1 금속 박막 전극과 상기 제2 금속 박막 전극의 전기적인 단락을 방지하는 단락 방지층을 형성하는 단계;를 포함하는 마이크로셔터(microshutter) 형성방법
12 12
투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 불투명한 마스크 패턴이 형성된 투명기판의 일면 상에 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계;입사되는 광을 산란시키는 디퓨저로 생성된 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 패턴 상에 금속 물질을 증착하는 단계를 포함하는 금속 패턴 형성방법
13 13
삭제
14 14
제12 항에 있어서,상기 투명기판의 타면과 상기 디퓨저 사이에 공기보다 굴절률이 큰 충진재층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 패턴 형성방법
15 15
제12 항에 있어서,상기 감광성의 폴리머 막은 상기 불투명한 마스크 패턴을 매립하여 상기 투명기판의 일면 상에 형성되는 금속 패턴 형성방법
16 16
제12 항에 있어서,상기 투명기판의 일면과 접하는 폴리머 막의 표면으로부터 상기 투명기판의 일면과 수직방향으로 오목하고, 상기 투명기판의 일면과 수평방향으로 연장되는 하나 이상의 오목한 패턴을 형성하고,상기 오목한 패턴의 수직 단면은 하나 이상의 곡면을 갖는 원 또는 타원의 형상이고, 상기 원 또는 타원의 중심 위쪽의 상부가 일직선상으로 절단된 폴리머 패턴을 형성하는금속 패턴 형성방법
17 17
투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 불투명한 마스크 패턴이 형성된 투명기판의 일면 상에 음성 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계;입사되는 광을 산란시키는 디퓨저로 생성된 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 패턴 상에 금속 물질을 증착하는 단계; 및상기 폴리머 패턴과 상기 금속 물질을 분리하는 단계를 포함하는 마이크로렌즈 어레이 스탬퍼(microlens array stamper) 형성방법
18 18
투명기판의 일면 상에 불투명한 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 불투명한 마스크 패턴이 형성된 투명기판의 일면 상에 감광성의 폴리머 막을 형성하는 단계;입사되는 광을 산란시키는 디퓨저로 생성된 임의의 방향으로 진행하는 광을 상기 투명기판의 타면에 조사하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리머 패턴 상에 금속 물질을 증착하는 단계;상기 폴리머 패턴과 상기 금속 물질을 분리하여 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴을 플라스틱 물질에 전사하는 단계를 포함하는 플라스틱 몰드 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.