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양자점 나노구조체 제조 방법에 있어서 (i) 양자점을 준비하는 단계; (ii) 블록공중합체를 준비하는 단계; (iii) 상기 양자점과 상기 블록공중합체가 화학적으로 결합하여 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을 형성하는 단계; (iv) 상기 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을 기재에 도포하여 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점 필름을 형성하는 단계; 및, (v) 상기 (iv)단계에서의 필름을 어닐링하여 상기 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점이 자기조립 현상(self-assembly)을 통해 양자점 나노구조체를 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 (v)단계에서의 어닐링은 상기 (iv)단계에서의 필름에 빛 에너지 조사를 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CuInS2, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, PbSe, PbS, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 블록공중합체는 제1 블록구조단위 및 제2 블록구조단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 블록공중합체는 0
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청구항 5에 있어서, 상기 제1 블록구조단위는 말단에 이중결합 또는 삼중결합을 포함하는 작용기를 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 제1 블록구조단위는 말단에 비닐벤젠, 나이트릴기(-CN) 및 이들의 유도체중 선택된 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 제2 블록구조단위는 상기 양자점과 화학 결합할 수 있도록 O, N, P 및 S에서 선택되는 헤테로원자를 포함하는 작용기를 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 헤테로원자를 포함하는 작용기는 싸이올기(-SH), 카보닐기(-COOH), 방향족 헤테로분자인 싸이오펜, 피리딘, 이미다졸 및 이들의 유도체중 선택된 어느 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (v)단계에서의 양자점 나노구조체의 구조는 상기 블록공중합체의 블록구조단위 부피비에 따라 구형(Sphere), 실린더형(Cylinder), 다공성 라멜라(Perforated lamellar) 및 라멜라(Lamellar) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 양자점 나노구조체의 격자간 거리는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (v)단계에서의 어닐링은 200nm 내지 2000nm의 파장대역의 레이저를 조사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (v)단계에서의 어닐링은 10mW 내지 100W범위의 출력으로 Nd:YAG 레이저를 조사하여서 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (v)단계에서의 어닐링은 1Hz 내지 100kHz 주파수로 레이저를 조사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (v)단계에서의 어닐링은 1회 내지 10회로 레이저 조사를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (v)단계에서의 어닐링은 100mJ/㎠ 내지 1600mJ/㎠의 에너지가 적용되도록 레이저를 조사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 나노구조체 제조 방법
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청구항 1, 4 내지 17 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 양자점 나노구조체
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양자점 패턴 제조 방법에 있어서(i) 양자점을 준비하는 단계;(ii) 블록공중합체를 준비하는 단계;(iii) 상기 양자점과 상기 블록공중합체가 화학적으로 결합하여 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을 형성하는 단계;(iv) 상기 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점을 기재에 도포하여 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점 필름을 형성하는 단계; (v) 상기 (iv)단계에서의 필름을 어닐링하여 상기 블록공중합체-결합(conjugated) 양자점이 자기조립현상(self-assembly)을 통해 양자점 나노구조체를 형성하는 단계; 및,(vi) 상기 양자점 나노구조체에서 상기 블록공중합체를 제거하는 단계; 를 포함하여 이루어지고, 상기 (v)단계에서의 어닐링은 상기 (iv)단계에서의 필름에 레이저 조사를 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 패턴 제조 방법
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청구항 19 방법에 의해 제조되는 양자점 패턴
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청구항 20에 있어서, 상기 패턴을 형성하는 양자점간 거리는 1nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 양자점 패턴
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청구항 20의 양자점 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광층
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양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 양자점 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 포함하여 이루어지고,상기 양자점 발광층은 청구항 22의 양자점 발광층으로 되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자
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