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유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터의 채널 길이를 결정하는 방법에 있어서,상기 트랜지스터의 소스(source) 및 드레인(drain) 간의 거리로서, 상기 소스 및 상기 드레인 간을 이동하는 전자 또는 정공에 의해 형성되는 채널의 길이를 변경하면서, 상기 트랜지스터에 대응되는 복수의 모델링을 생성하는 단계;상기 복수의 모델링 각각에 대해, 각 단자 간에 형성되는 기생 커패시터(parasitic capacitor)의 충방전 시간 및 상기 기생 커패시터에 저장된 에너지 중 적어도 하나를 산출하는 단계; 및상기 충방전 시간 및 상기 에너지 중 적어도 하나에 기초하여, 상기 트랜지스터를 가장 효율적으로 동작하도록 하는 최적채널길이를 결정하는 단계를 포함하고,상기 모델링은상기 채널의 길이 및 폭에 기초하여, 문턱전압 및 각 단자 간의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)가 결정되며,상기 채널의 길이 증가에 따라서, 상기 기생 커패시턴스가 증가하여 상기 드레인에 흐르는 전류가 감소하고, 상기 문턱전압이 감소하여 상기 드레인에 흐르는 전류가 증가하는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터의 채널 길이 결정 방법
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제1항에 있어서,상기 최적채널길이를 결정하는 단계는상기 충방전 시간 및 상기 에너지를 이용하여 산출된 EDP(energy delay product)가 최소가 되도록 하는 채널의 길이를 상기 최적채널길이로 결정하는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터의 채널 길이 결정 방법
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제2항에 있어서,상기 EDP는 수학식 1을 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터의 채널 길이 결정 방법
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제1항에 있어서,상기 유사문턱전압은상기 트랜지스터의 문턱전압으로부터 소정 범위 이내인 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터의 채널 길이 결정 방법
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소스 및 드레인 간을 이동하는 전자 또는 정공에 의해 형성되는 채널의 길이가 상기 채널의 길이가 상이한 복수의 모델링 각각의 각 단자 간에 형성되는 기생 커패시터의 충방전 시간 및 상기 기생 커패시터에 저장된 에너지 중 적어도 하나에 기초하여, 가장 효율적으로 동작하는 최적채널길이로 결정되고,상기 복수의 모델링 각각은상기 채널의 길이 및 폭에 기초하여, 문턱전압 및 각 단자 간의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)가 결정되며, 상기 채널의 길이 증가에 따라서, 상기 기생 커패시턴스가 증가하여 상기 드레인에 흐르는 전류가 감소하고, 상기 문턱전압이 감소하여 상기 드레인에 흐르는 전류가 증가하는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 최적채널길이는상기 충방전 시간 및 상기 에너지를 이용하여 산출된 EDP가 최소가 되도록 하는 채널의 길이인 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 EDP는 수학식 1을 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 유사문턱전압은상기 트랜지스터의 문턱전압으로부터 소정 범위 이내인 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 트랜지스터
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제6항의 트랜지스터를 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 유사문턱전압에서 동작하는 로직게이트
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