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3Ｄ 나노미터 구조 제조 방법(THREE-DIMENSIONAL NANOMETER STRUCTURE FABRICATING METHOD)

  • 기술번호 : KST2017018757
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 3D 나노미터 구조 제조 방법은 기판 위에 희생층을 형성하는 단계, 희생층 위에 상부 물질을 형성하는 단계, 식각액을 이용해 상기 희생층의 내부 확산도를 조절하는 단계, 내부 확산도가 조절된 상기 희생층을 포함하는 상기 기판 위에 엔캡슐레이션(encapsulation) 물질을 형성하는 단계 및 식각액을 이용해 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 결정화를 필요로 하는 나노미터 크기의 물질을 대면적으로 정렬시킨 3D 나노미터 구조를 제조할 수 있고, 확산을 이용하여 나노미터 구조를 빠르고 용이하게 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 모체 기판을 재사용할 수 있다는 경제적 효과를 갖는다.
Int. CL B82B 3/00 (2016.07.19) B82Y 40/00 (2016.07.19) C01G 23/04 (2016.07.19)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020160074271 (2016.06.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0141353 (2017.12.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
2 서민호 대한민국 대전광역시 유성구
3 최소영 대한민국 대전광역시 유성구
4 이재신 대한민국 대전광역시 유성구
5 최광욱 대한민국 대전광역시 유성구
6 김창근 대한민국 대전광역시 유성구
7 유재영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0572903-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0823032-13
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0085624-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0085623-74
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0186868-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 핀홀을 갖는 상부 물질을 형성하는 단계;상기 희생층과 상기 상부 물질을 포함하는 상기 기판을 식각액에 담궈 상기 희생층을 부분적으로 식각하는 단계;부분적으로 식각된 상기 희생층과 상기 상부 물질을 포함하는 상기 기판 위에 엔캡슐레이션(encapsulation) 물질을 형성하는 단계; 및상기 식각액을 이용해 부분적으로 식각된 상기 희생층을 식각하는 단계;를 포함하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 상부 물질을 형성하는 단계 후 상기 희생층을 부분적으로 식각하는 단계 전에, 어닐링(annealing)을 통해 상기 상부 물질을 결정화시키는 단계;를 더 포함하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,결정화된 상기 상부 물질은 BaTIO3인 3D 나노미터 구조 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 희생층을 부분적으로 식각하는 단계는, 상기 희생층의 식각 시간을 조절하여 상기 희생층에 다공성 구조를 형성하는, 3D 나노미터 구조 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 희생층을 식각하는 단계는, 부분적으로 식각된 상기 희생층의 잔여 부분을 식각하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 그레이팅 기판(grating substrate)인 3D 나노미터 구조 제조 방법
7 7
기판 위에 희생층을 증착하는 단계;상기 희생층 위에 핀홀을 갖는 나노와이어 물질을 증착하는 단계;상기 희생층과 상기 나노와이어 물질을 포함하는 기판을 식각액에 담궈 상기 희생층의 일부를 손상시키는 단계;일부가 손상된 상기 희생층과 상기 나노와이어 물질을 포함하는 상기 기판 위에 유연성 기판(flexible substrate)을 라미네이트하는 단계;상기 식각액을 이용해 일부가 식각된 상기 희생층을 식각하는 단계; 및라미네이트된 상기 유연성 기판을 상기 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 나노와이어 물질을 증착하는 단계 후 상기 희생층의 일부를 손상시키는 단계 전에, 어닐링(annealing)을 통해 상기 나노와이어 물질을 결정화시키는 단계;를 더 포함하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,결정화된 상기 나노와이어 물질은 BaTIO3인 3D 나노미터 구조 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 희생층을 손상시키는 단계는, 상기 희생층의 식각 시간을 조절하여 상기 희생층을 부분적으로 식각함으로써 상기 희생층의 내부 확산도를 조절하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 희생층을 식각하는 단계는, 부분적으로 식각된 상기 희생층의 잔여 부분을 식각하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 기판은 그레이팅 기판(grating substrate)인 3D 나노미터 구조 제조 방법
13 13
제7항에 있어서,상기 유연성 기판이 분리된 상기 기판을 재사용하는 단계;를 더 포함하는 3D 나노미터 구조 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.