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기판의 상측 방향으로 수직하게 형성되어 소스 라인에 전기적으로 연결되는 채널층;상기 채널층을 감싸며 기판의 상측 방향으로 수직하게 형성되는 절연막;상기 절연막에 수직하게 접하면서 기판과 수평한 복수의 층으로 형성되는 절연층;상기 복수의 절연층 사이에 각각 형성되고, 적어도 한 면이 상기 절연막에 접하며 상기 채널층과 상기 절연막에 나란하게 형성되는 복수의 트랩층;상기 절연층의 외면과 상기 트랩층의 외면을 따라 형성되는 블로킹 절연막; 및 상기 블로킹 절연막에 의해 상기 트랩층과 분리되어 상기 절연층의 사이에 형성되고 비트 라인에 전기적으로 연결되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 트랩층은,상기 절연층과 교대로 적층되어 상기 절연층의 사이에 개재된 희생층을 에칭하여 제거할 때, 상기 희생층의 에칭 시간을 조절하여 모든 희생층이 제거되기 전에 에칭을 정지함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리
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제 1항에 있어서,상기 트랩층은 상기 절연막에 의해 상기 채널층과 분리되고, 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 문턱 전압 이상의 전압이 인가되었을 때 상기 채널층으로부터 상기 절연막을 통과한 전하가 포획되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리
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제 1항에 있어서,상기 절연막과 상기 절연층은 실리콘 옥사이드(SiO2)를 포함하는 산화막으로 형성되고, 상기 트랩층은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하는 질화막으로 형성되며, 상기 블로킹 절연막은 사파이어(Al2O3)를 포함하는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리
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제 1항에 있어서,상기 채널층은 폴리 실리콘(poly silicon)으로 형성되고, 상기 게이트 전극은 질화탄탈늄(TaN)을 포함하는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리
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(1) 기판 상에 복수의 절연층과 희생층을 교대로 적층하는 단계;(2) 상기 적층된 복수의 절연층과 희생층을 수직으로 관통하여 기판 상면이 노출되도록 채널 홀을 형성하는 단계;(3) 상기 형성된 채널 홀의 내면에 절연막을 형성하는 단계;(4) 상기 절연막이 형성된 채널 홀에 채널층을 형성하는 단계;(7) 상기 희생층을 에칭하여 제거하되, 상기 채널 홀에 인접한 일부의 희생층을 남겨 전하 포획을 위한 트랩층으로 형성하는 단계;(8) 상기 절연층 및 상기 트랩층의 표면을 따라 블로킹 절연막을 형성하는 단계; 및(9) 상기 블로킹 절연막이 형성된 절연층들의 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제 (4)단계와 상기 제 (7)단계 사이에,(5) 상기 채널층이 형성된 채널 홀의 빈 공간에 절연 물질을 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제 (5)단계와 상기 제 (7)단계 사이에,(6) 상기 채널 홀과 소정 간격만큼 이격된 위치에서 상기 적층된 절연층과 희생층을 식각하여 기판 상면이 노출되도록 슬릿을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 제 (7)단계에서 상기 트랩층은, 상기 희생층의 에칭 시간을 조절하여 모든 희생층이 제거되기 전에 에칭을 정지함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 트랩층은 상기 절연막에 의해 상기 채널층과 분리되고, 상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 문턱 전압 이상의 전압이 인가되었을 때 상기 채널층으로부터 상기 절연막을 통과한 전하가 포획되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 절연막과 상기 절연층은 실리콘 옥사이드(SiO2)를 포함하는 산화막으로 형성되고, 상기 트랩층은 실리콘 나이트라이드(Si3N4)를 포함하는 질화막으로 형성되며, 상기 블로킹 절연막은 사파이어(Al2O3)를 포함하는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 채널층은 폴리 실리콘(poly silicon)으로 형성되고, 상기 게이트 전극은 질화탄탈늄(TaN)을 포함하는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 삼차원 낸드 플래시 메모리의 제조방법
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