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(a) 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 일면에 접착층을 형성하는 단계;(c) 상기 접착층이 형성된 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계;(d) 수용액 중에서 상기 금속 박막의 표면에 양극전압을 인가하여 금속 산화물을 형성하는 단계; 및(e) 수용액 중에서 상기 금속 산화물에 -0
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제1항에 있어서,상기 기판이 철(Fe), 구리(Cu), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 금속류, 스테인리스 스틸을 포함하는 합금류, 실리콘(Si) 및 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 반도체류, 규소(Si), 아크릴레이트(acrylate), 바이닐(vinyl), 및 카보네이트(carbonate)를 포함하는 고분자(polymer) 플라스틱류, 인듐과 산화주석의 화합물, 유리(glass), 및 석영(quartz)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 접착층이 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 박막이 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 접착층이 1 내지 10nm의 두께를 갖고, 상기 금속 박막이 20 내지 400nm의 두께를 갖는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (b)의 접착층 및 단계 (c)의 금속 박막이 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 열 증착법(thermal evaporation), 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 또는 스퍼터링 증착법(RF or DC sputtering)에 의해 진공 분위기에서 형성되거나, 또는 상온 및 상압 조건의 수용액상에서 전기 도금(electroplating)에 의해 형성되는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (d) 및 (e)에서 산성, 중성 또는 염기성 수용액이 연속적 또는 교차 사용되는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (d)에서 가역 수소 전극(Reversible Hydrogen Electrode;RHE) 대비 1
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제1항에 있어서,상기 단계 (d)에서 형성된 금속 산화물이 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속의 옥사이드 또는 옥사이드 하이드레이트계인, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (d) 이후 단계 (e)에 앞서, 금속 박막의 표면을 증류수를 이용하여 세척하는 단계를 더 포함하는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 환원전류밀도를 금속 박막의 전극 전위값이 음의 방향으로 급격히 변화하는 시점까지 흘려주는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (e)의 금속 나노구조체가 나노기공(nanopore), 나노기둥(nanopillar), 돌출된 나노입자(nanoparticle), 나노갭(nanogap) 또는 이들의 조합을 포함하는 구조를 갖는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 나노갭이 10nm 이하의 크기를 갖는, 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
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