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서로 마주보는 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, 양자점을 포함하는 발광층; 및상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하고, 금속 산화물 박막을 포함하는 전자 수송층을 포함하고,상기 금속 산화물 박막은 In2O3, ZnO, SiO2 및 SnO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은 스퍼터링(sputtering) 공법을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은, In2O3-ZnO-SiO2 계, In2O3-ZnO 계, ZnO-SiO2 계, In2O3-SiO2 계, In2O3-SnO2-SiO2 계, In2O3-SnO2 계, SnO2-SiO2 계, ZnO-SnO2-SiO2 계, 및 ZnO-SnO2 계 중 적어도 어느 하나의 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은, 하기 화학식 1의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은, 하기 화학식 2의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은, 하기 화학식 3의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자
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7
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층을 형성하는 단계는 스퍼터링 공법을 통한 연속 증착 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는,In-Zn-O 타겟 및 SiO2 타겟을 이용한 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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10
제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는,In-Sn-O 타겟 및 SiO2 타겟을 이용한 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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11
제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계는,Zn-Sn-O 타겟 및 SiO2 타겟을 이용한 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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12
제7항에 있어서,In-Zn-Si-O 타겟, In-Sn-Si-O 타겟 및 Zn-Sn-Si-O 타겟으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 타겟을 이용한 단일타겟 스퍼터링 공법으로 진행되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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13
제7항에 있어서,상기 전자 수송층을 형성하는 단계에서는, 스퍼터링 공법을 통해 SiO2의 조성비를 조절하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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