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25℃에서 100 W/mㆍK 이상의 열전도도를 갖는 기판; 상기 기판 상에 배치된 제 1 전극; 상기 기판 상에 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 제 1 전극과 이격하여 배치된 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 것으로, 코어부 및 쉘부를 갖는 양자점을 포함하되, 상기 쉘부는 상기 코어부에서 멀어질수록 조성이 변화되는 조성 구배(composition gradient)를 갖는 양자점 발광층; 상기 제 1 전극과 상기 양자점 발광층 사이에 배치된 전자 수송층; 상기 제 2 전극과 상기 양자점 발광층 사이에 배치된 것으로, 카르바졸 유도체(carbazole derivative)를 포함하는 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 것으로, 상기 정공 수송층 측으로부터 순차로 배치된 제 1 층 및 제 2 층을 포함하되, 상기 제 1 층은 MoO3를 구비하고, 상기 제 2 층은 HAT-CN (hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)을 구비하는 정공 주입층;을 포함하고, 상기 양자점 발광층으로부터 상기 기판이 배치된 쪽의 반대쪽으로 광을 방출하는 전면 발광(top emission) 구조를 갖는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판부 및 상기 실리콘 기판부의 표면에 형성된 실리콘 산화물층을 포함하고, 상기 기판의 열전도도는 상기 실리콘 기판부에 의해 지배적으로(dominantly) 결정되는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 반사 전극이고, 상기 제 2 전극은 투명 전극이며, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 간격, 상기 제 1 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 간격 및 상기 양자점 발광층과 상기 제 2 전극 사이의 간격은 광의 방출과 관련된 광학적 보강 간섭을 발생시키도록 제어된 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 제 1 두께를 갖는 제 1 금속층을 포함하고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 두께 보다 작은 제 2 두께를 갖는 제 2 금속층을 포함하는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 정공 수송층은 상기 카르바졸 유도체로 CBP [4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl]를 포함하는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 층은 MoO3층이고, 상기 제 2 층은 HAT-CN층이며, 상기 제 1 층은 3∼7 nm 범위의 두께를 갖고, 상기 제 2 층은 3∼7 nm 범위의 두께를 갖는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전자 수송층은 산화아연(ZnO) 계열의 나노입자(nanoparticles)를 포함하는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 양자점의 상기 쉘부는 상기 코어부 측으로부터 순차로 배치된 연속적 그레이딩층(continuous grading layer), 격자 어댑터층(lattice adaptor layer) 및 주입 배리어층(injection barrier layer)을 포함하는 양자점 발광 소자
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제 8 항에 있어서, 상기 코어부의 반지름은 3
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제 1 항에 있어서, 상기 전자 수송층의 두께는 30∼40 nm 이고, 상기 양자점 발광층의 두께는 25∼45 nm 이고, 상기 정공 수송층의 두께는 30∼50 nm 이고, 상기 정공 주입층의 두께는 6∼14 nm 인 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 양자점 발광 소자는 300만 cd/m2 이상의 최대 휘도를 갖는 양자점 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 양자점 발광 소자는 5 A/cm2 이상의 전류 밀도로 구동되도록 구성된 양자점 발광 소자
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25℃에서 100 W/mㆍK 이상의 열전도도를 갖는 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 코어부 및 쉘부를 갖는 양자점을 포함하되, 상기 쉘부는 상기 코어부에서 멀어질수록 조성이 변화되는 조성 구배를 갖는 양자점 발광층을 형성하는 단계; 상기 양자점 발광층 상에 카르바졸 유도체(carbazole derivative)를 포함하는 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 상기 정공 수송층 측으로부터 순차로 배치된 제 1 층 및 제 2 층을 포함하되, 상기 제 1 층은 MoO3를 구비하고, 상기 제 2 층은 HAT-CN을 구비하는 정공 주입층을 형성하는 단계; 및 상기 정공 주입층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 양자점 발광층으로부터 상기 기판이 배치된 쪽의 반대쪽으로 광을 방출하는 전면 발광(top emission) 특성을 갖는 양자점 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판부 및 상기 실리콘 기판부의 표면에 형성된 실리콘 산화물층을 포함하고, 상기 기판의 열전도도는 상기 실리콘 기판부에 의해 지배적으로(dominantly) 결정되는 양자점 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 반사 전극이고, 상기 제 2 전극은 투명 전극이며, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 간격, 상기 제 1 전극과 상기 양자점 발광층 사이의 간격 및 상기 양자점 발광층과 상기 제 2 전극 사이의 간격은 광의 방출과 관련된 광학적 보강 간섭을 발생시키도록 제어된 양자점 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 정공 수송층은 상기 카르바졸 유도체로 CBP [4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl]를 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 층은 MoO3층이고, 상기 제 2 층은 HAT-CN층이며, 상기 제 1 층은 3∼7 nm 범위의 두께를 갖고, 상기 제 2 층은 3∼7 nm 범위의 두께를 갖는 양자점 발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 양자점의 상기 쉘부는 상기 코어부 측으로부터 순차로 배치된 연속적 그레이딩층(continuous grading layer), 격자 어댑터층(lattice adaptor layer) 및 주입 배리어층(injection barrier layer)을 포함하고, 상기 코어부의 반지름은 3
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제 13 항에 있어서, 상기 양자점 발광 소자는 300만 cd/m2 이상의 최대 휘도를 갖는 양자점 발광 소자의 제조 방법
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