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비활성 전극(inert electrode)에 해당하는 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 이격하여 배치된 것으로, 활성 전극(active electrode)에 해당하는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 것으로, 고분자를 포함하는 저항변화층; 및 상기 제 1 전극과 상기 저항변화층 사이에 배치된 것으로, 산화물을 포함하는 삽입층을 구비하고, 상기 저항변화층 내에 ECM(electrochemical metallization mechanism) 필라멘트가 형성되고, 상기 삽입층 내에 VCM(valence change mechanism) 필라멘트가 형성된 멤리스터(memristor) 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 삽입층은 Al2O3층인 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 삽입층은 200℃ 이상의 공정 온도를 사용하는 ALD(atomic layer deposition) 공정으로 형성된 Al2O3층인 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 삽입층은 1 nm ∼50 nm의 두께를 갖는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자는 V3D3(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane)를 포함하는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층은 5 nm ∼100 nm의 두께를 갖는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층은 상기 고분자로 구성된 단일막이고, 상기 삽입층은 상기 산화물로 구성된 단일막이며, 상기 삽입층의 제 1 면은 상기 제 1 전극에 접촉되고, 상기 삽입층의 상기 제 1 면과 마주하는 제 2 면은 상기 저항변화층에 접촉되며, 상기 저항변화층의 제 1 면은 상기 삽입층에 접촉되고, 상기 저항변화층의 상기 제 1 면과 마주하는 제 2 면은 상기 제 2 전극에 접촉되는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 Pt 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 Cu, Ag 및 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층의 전도도의 점진적 증가에 의한 상기 멤리스터 소자의 강화(potentiation)는 전류 스윕(current sweep) 방식으로 수행되도록 구성된 멤리스터 소자
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비활성 전극(inert electrode)에 해당하는 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 산화물을 포함하는 삽입층을 형성하는 단계; 상기 삽입층 상에 고분자를 포함하는 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 활성 전극(active electrode)에 해당하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 저항변화층 내에 ECM(electrochemical metallization mechanism) 필라멘트가 형성되고, 상기 삽입층 내에 VCM(valence change mechanism) 필라멘트가 형성되며, 상기 저항변화층의 저항 변화에 따른 시냅틱(synaptic) 특성을 갖는, 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 삽입층은 Al2O3층인 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 삽입층은 200℃ 이상의 공정 온도를 사용하는 ALD(atomic layer deposition) 공정으로 형성된 Al2O3층인 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 삽입층은 1 nm ∼ 50 nm의 두께를 갖는 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 고분자는 V3D3(1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisiloxane)를 포함하는 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 저항변화층은 iCVD(initiated chemical vapor deposition) 공정으로 형성하는 멤리스터 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 저항변화층은 5∼100 nm의 두께를 갖는 멤리스터 소자의 제조 방법
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청구항 1에 기재된 멤리스터 소자를 포함하는 시냅틱(synaptic) 소자
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청구항 18에 기재된 시냅틱 소자를 포함하는 뉴로모픽(neuromorphic) 소자
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