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나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2024000448
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법으로, 패턴된 패턴 기판 상에 고분자로 표면처리를 하는 단계; 상기 고분자 상에 콜로이드 형태의 나노입자를 코팅하는 단계; 원하지 않는 나노입자 코팅층을 제거하는 단계; 상기 나노입자 코팅층에 대하여 접착력을 갖는 캐리어 기판을 접착시키는 단계; 상기 캐리어 기판을 상기 패턴 기판으로부터 분리함으로써 상기 나노입자 코팅층을 상기 패턴 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 캐리어 고분자를 타겟 기판에 접촉시킨 후, 상기 캐리어 고분자를 용액 내로 침지시킴으로써 상기 캐리어 고분자를 제거하여 상기 타겟 기판 상에 나노입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법이 제공된다.
Int. CL H10K 50/115 (2023.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) C09K 11/88 (2006.01.01) C09K 11/70 (2006.01.01) C09K 11/66 (2006.01.01) C09K 11/54 (2006.01.01)
CPC H10K 50/115(2013.01) B82B 1/005(2013.01) H01L 33/06(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/703(2013.01) C09K 11/66(2013.01) C09K 11/54(2013.01)
출원번호/일자 1020230052760 (2023.04.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0172393 (2023.12.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220072537   |   2022.06.15
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2023.04.21)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연식 대전광역시 유성구
2 김건영 대전광역시 유성구
3 김무현 대전광역시 유성구
4 송경민 대전광역시 유성구
5 신홍주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2023.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2023-0452937-76
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2023.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2023-0795393-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법으로, 패턴된 패턴 기판 상에 고분자로 표면처리를 하는 단계;상기 고분자 상에 콜로이드 형태의 나노입자를 코팅하는 단계;원하지 않는 나노입자 코팅층을 제거하는 단계;상기 나노입자 코팅층에 대하여 접착력을 갖는 캐리어 기판을 접착시키는 단계;상기 캐리어 기판을 상기 패턴 기판으로부터 분리함으로써 상기 나노입자 코팅층을 상기 패턴 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 캐리어 고분자를 타겟 기판에 접촉시킨 후, 상기 캐리어 고분자를 용액 내로 침지시킴으로써 상기 캐리어 고분자를 제거하여 상기 타겟 기판 상에 나노입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노입자층을 형성한 후, 제 1항에 따른 방법을 반복하여 또 다른 나노입자층을 상기 나노입자층 상에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제 1항에 따른 방법을 반복하기 전, 상기 나노입자층을 형성한 후, 상기 나노입자층 사이의 패턴을 매우는 캡핑(capping) 공정을 진행하여 상기 나노입자층의 단차를 없애는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 원하지 않는 나노입자 코팅층을 제거하는 단계는 스탬핑 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 나노입자의 친수성이 높은 경우 상기 표면처리되는 고분자는 친수성이 높도록 선택되는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 나노입자는 양자점인 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 양자점은 CdSe, InP, PbS 및 ZnO로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 용액은 상기 나노입자 코팅층과 타겟기판을 용해시키지 않고, 상기 캐리어 고분자만을 선택적으로 용해시키는 것을 특징으로 하는, 나노입자를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 3차원 나노구조체
10 10
제 9항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노입자가 적층된 형태인 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체
11 11
제 10항에 있어서, 상기 3차원 나노구조체는 다층의 패턴된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체
12 12
제 11항에 있어서, 상기 다층의 패턴된 구조는 라인 형태이며, 층간 라인의 각도는 원하는 각도로 꼬인 형태인 것을 특징으로 하는 3차원 나노구조체
13 13
제 9항에 따른 나노구조체를 포함하는 디스플레이
14 14
제 13항에 있어서, 상기 나노구조체는 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.