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뉴런과 시냅스 모사를 위해 휘발성 및 비휘발성 특성을 동시에 구현하는 뉴로모픽 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2024000479
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 뉴로모픽 메모리 소자는, 제1 전극, 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 사이에서 상기 제1 전극에 인접하여 배치되며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 전압 차이에 기초하여 휘발성 저장 기능을 수행하여 뉴런의 가소성을 모사하는 제1 박막층, 및 상기 제1 박막층 및 상기 제2 전극 사이에 배치되며 비휘발성 저장 기능을 수행하여 시냅스의 가소성을 모사하는 제2 박막층을 포함할 수 있다.
Int. CL H10N 70/00 (2023.01.01) G06N 3/063 (2023.01.01)
CPC H10N 70/231(2013.01) H10N 70/826(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020220106915 (2022.08.25)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2024-0003682 (2024.01.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220081489   |   2022.07.01
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 서울특별시 강남구
2 성상현 제주특별자치도 제
3 정영훈 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주연케이알피 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길**, *층(역삼동, 엘에스빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0893365-02
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
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번호 청구항
1 1
뉴로모픽 메모리 소자에 있어서,제1 전극;제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 사이에서 상기 제1 전극에 인접하여 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 전압 차이에 기초하여 휘발성 저장 기능을 수행하여 뉴런의 가소성을 모사하는 제1 박막층; 및상기 제1 박막층 및 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 비휘발성 저장 기능을 수행하여 시냅스의 가소성을 모사하는 제2 박막층을 포함하는 뉴로모픽 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 박막층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압의 크기에 기초하여 필라멘트를 형성하고,상기 제2 박막층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압 펄스에 기초하여 상변화를 일으키는 뉴로모픽 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 박막층은,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 문턱 전압보다 높아지면 상기 필라멘트를 형성하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압이 상기 문턱 전압보다 낮아지면 상기 필라멘트를 분해하는 뉴로모픽 메모리 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 제2 박막층은,제1 크기 및 제1 폭을 가지는 설정 신호가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 경우 결정 상태로 상변화하고,상기 제1 크기보다 큰 제2 크기 및 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가지는 리셋 신호가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 경우 비결정 상태로 상변화하는 뉴로모픽 메모리 소자
5 5
제2항에 있어서,상기 제1 박막층은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 커패시터가 병렬로 연결된 경우, 상기 제2 박막층의 상변화 상태에 기초하여 상기 필라멘트의 형성 또는 분해 속도가 달라지는 뉴로모픽 메모리 소자
6 6
제2항에 있어서,상기 제2 박막층은, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 커패시터가 병렬로 연결된 경우, 상기 제1 박막층의 상기 필라멘트 형성 여부에 기초하여 상변화 속도가 달라지는 뉴로모픽 메모리 소자
7 7
제2항에 있어서,상기 제1 박막층에는 상기 필라멘트가 형성되지 않고 상기 제1 박막층이 비결정 상태인 경우,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층은 제1 저항 상태를 가지는 뉴로모픽 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 박막층에는 상기 필라멘트가 형성되지 않고 상기 제1 박막층이 결정 상태인 경우,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층은 상기 제1 저항 상태보다 낮은 제2 저항 상태를 가지는 뉴로모픽 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 박막층에는 상기 필라멘트가 형성되고 상기 제1 박막층이 비결정 상태인 경우,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층은 상기 제1 저항 상태보다 낮은 제3 저항 상태를 가지는 뉴로모픽 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 제1 박막층에는 상기 필라멘트가 형성되고 상기 제1 박막층이 결정 상태인 경우,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층은 상기 제2 저항 상태 및 상기 제3 저항 상태보다 낮은 제4 저항 상태를 가지는 뉴로모픽 메모리 소자
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