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쌍극자를 가진 자기조립 단분자막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015116039
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로서, 부유 게이트와 터널링 유전막 사이에 쌍극자를 가지는 자기조립 단분자막을 삽입하여 부유 게이트의 일 함수를 조절해 줌으로써 데이터 리텐션 특성을 향상시킨 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 자기조립 단분자막의 쌍극자 모멘트에 의해 부유 게이트의 페르미 준위 및 일 함수가 조절됨으로써, 부유 게이트로부터 반도체막 쪽으로의 전자 이동에 대한 에너지 장벽이 증가하여 누설 전류가 감소하고, 그에 따라 데이터 리텐션 특성이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020120118180 (2012.10.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1355813-0000 (2014.01.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승협 대한민국 대전 유성구
2 이승원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0865233-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041466-52
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0854931-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0703134-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1122276-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1122277-22
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0895466-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트, 블록킹 유전막, 부유 게이트, 터널링 유전막 및 반도체막이 순차적으로 적층된 비휘발성 메모리 소자로서, 상기 부유 게이트 및 터널링 유전막 사이에 쌍극자를 가지는 자기조립 단분자막이 삽입되고,상기 쌍극자를 가지는 자기조립 단분자막에 의해 부유 게이트로부터 반도체막으로의 전자 이동에 대한 에너지 장벽이 높아지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 부유 게이트는 연속적인 막으로 형성되거나 나노 입자가 이산된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체막은 N형 반도체막이고 상기 자기조립 단분자막은 양(+)의 쌍극자를 갖거나,상기 반도체막은 P형 반도체막이고 상기 자기조립 단분자막은 음(-)의 쌍극자를 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체막은 유기 반도체막 또는 산화물 반도체막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체막은 풀러렌(C60) 막이고,상기 터널링 유전막은 BCB(Benzocyclobutene) 막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 부유 게이트는 금(Au) 또는 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 고성능 소프트 소자