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반도체 배선용 은박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015160565
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열처리 공정으로 금속 시드층의 접착도가 향상된 반도체 배선용 은박막 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 배선용 은박막 형성방법은: 반도체 기판을 마련하는 단계와; 반도체 기판을 세정하고, 반도체 기판의 표면에 감수성을 부여하여 표면을 활성화하는 단계와; 반도체 기판의 표면에 무전해 도금액을 이용하여 금속 시드층을 형성하는 단계와; 금속 시드층이 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계와; 반도체 기판의 표면에 환원 전위를 인가하며, 은 전해 도금액을 이용하여 전해 도금을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 무전해 도금으로 금속 시드층을 형성한 후 반도체 배선용 은박막을 증착하는 반도체 배선 공정에 있어서, 금속 시드층이 형성된 반도체 기판을 열처리하는 것만으로도, 균일한 은박막을 형성함과 동시에 접착도 더욱 더 향상되고 면저항도 더욱 감소된 반도체 배선용 은박막을 형성할 수 있기 때문에 반도체 산업 발전에 기여하게 된다.무전해 도금, 전해 도금, 은박막, 금속 시드층, 접착도, 면저항
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76873(2013.01) H01L 21/76873(2013.01) H01L 21/76873(2013.01)
출원번호/일자 1020010086641 (2001.12.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0445839-0000 (2004.08.17)
공개번호/일자 10-2003-0056430 (2003.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20040825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울특별시 서초구
2 서준모 대한민국 서울특별시중구
3 박한흠 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0350554-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0047943-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0444356-72
5 의견서
Written Opinion		 2003.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0492282-15
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0492284-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-0020333-35
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0205369-16
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5090992-68
10 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0364554-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판을 마련하는 단계와;

상기 반도체 기판을 세정하고, 상기 반도체 기판의 표면에 주석 이온을 흡착시켜 감수성을 부여한 다음, 감수성이 부여된 결과물을 질산은 수용액에 침지시켜 촉매층을 형성하여 상기 표면을 활성화하는 단계와;

상기 반도체 기판의 상기 표면에, 은 화합물과 마그네슘 화합물과 상기 은 이온 및 상기 마그네슘 이온을 환원시키는 환원제를 포함하는, 무전해 도금액을 이용하여 금속 시드층을 형성하는 단계와;

상기 금속 시드층이 형성된 상기 반도체 기판을 열처리하는 단계와;

상기 반도체 기판의 상기 표면에 포화 감홍 전극을 기준으로 -1mV∼-1200mV의 환원 전위를 인가하며, 은 전해 도금액을 이용하여 전해 도금을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

2 2

삭제
3 3

제 1항에 있어서, 상기 은 화합물로서 질산은, 상기 마그네슘 화합물로서 수산화마그네슘을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 환원제로서, 황산제이코발트, HCHO 또는 글리콜산을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성방법

5 5

제 1항에 있어서, 상기 무전해 도금액은, 착화제 또는 pH조절제를 더 포함하는 것 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성방법

6 6

제 5항에 있어서, 상기 착화제로서 황산암모늄, 상기 pH조절제로서 수산화암모늄을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성방법

7 7

제 1항에 있어서, 상기 무전해 도금액의 온도는 18℃∼100℃ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

8 8

제 1항에 있어서, 상기 은 전해 도금액은 은화합물, 전해질, 및 첨가제를 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

9 9

제 1항 또는 제 8항에 있어서, 상기 은 전해 도금액은 상기 은화합물로서 100∼200 g/L의 KAg(CN)2, 상기 전해질로서 25∼100 g/L의 KCN, 상기 첨가제로서 0

10 10

제 1항 또는 제 8항에 있어서, 상기 은 전해 도금액은 상기 은화합물로서 10∼50 g/L의 질산은, 상기 전해질로서 15∼200 g/L의 (NH4)2SO4, 상기 첨가제로서 25∼150 mL의 수산화 암모늄을 이용하며, 상기 환원 전위는 포화 감홍 전극을 기준으로 -1 mV∼-400 mV의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

11 11

제 1항에 있어서, 상기 은 전해 도금액의 온도는 18℃∼100℃ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

12 12

제 1항에 있어서, 상기 열처리의 온도는 100℃∼500℃인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

13 13

제 1항에 있어서, 상기 열처리의 시간은 30초∼10시간 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

14 14

제 1항에 있어서, 상기 열처리는 질소, 수소, 또는 아르곤 분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

15 15

제 1항에 있어서, 열처리된 상기 반도체 기판의 상기 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선용 은박막 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.