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1
베이스 측에 제1 마스크층을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크층 위에 레진층을 형성하는 단계;
상기 레진층을 임프린트하는 단계;
상기 제1 마스크층을 1차로 제거하는 단계;
상기 베이스를 1차로 식각하는 단계;
상기 레진층을 제거하는 단계;
상기 베이스 위에 제2 마스크층을 형성하는 단계;
상기 제2 마스크층을 1차로 제거하는 단계;
상기 제1 마스크층을 2차로 제거하는 단계;
상기 베이스를 2차로 식각하는 단계;
상기 제2 마스크층을 2차로 제거하는 단계;
를 포함하는 나노 패턴 형성방법
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2
베이스 측에 제1 마스크층을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크층 위에 레진층을 형성하는 단계;
상기 레진층을 임프린트하는 단계;
상기 제1 마스크층을 1차로 제거하는 단계;
상기 레진층을 제거하는 단계;
상기 베이스 위에 제2 마스크층을 형성하는 단계;
상기 제2 마스크층을 1차로 제거하는 단계;
상기 제1 마스크층을 2차로 제거하는 단계;
상기 베이스를 식각하는 단계;
상기 제2 마스크층을 2차로 제거하는 단계;
를 포함하는 나노 패턴 형성방법
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3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 베이스 측에 제1 마스크층을 형성하는 단계는,
스퍼터링(sputtering)이나 화학증착(CVD), 이베퍼레이션(evaporation)으로 베이스 일면에 제1 마스크층을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 마스크층 위에 레진층을 형성하는 단계는,
슬릿 코팅(slit coating)이나 스핀 코팅(spin coating)에 의해 제1 마스크층 위에 레진층 형성하는 나노 패턴 형성방법
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5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 레진층을 임프린트하는 단계는,
임프린트용 스템프와 베이스를 임프린트 동작으로 합착하여 레진층에 레진 패턴들을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 마스크층을 1차로 제거하는 단계는,
레진층의 레진 패턴들을 식각용 마스크로 사용하여 제1 마스크층을 선택적으로 식각하면서 제1 마스크 패턴들을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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7
청구항 1에 있어서,
상기 베이스를 1차로 식각하는 단계는,
레진층의 레진 패턴과, 제1 마스크층의 제1 마스크 패턴들을 식각용 마스크로 사용하여 베이스를 선택적으로 식각하면서 가패턴들을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 레진층을 제거하는 단계는,
베이스 상에서 제1 마스크층의 제1 마스크 패턴들은 남기고 레진층의 레진 패턴들만 제거하는 나노 패턴 형성방법
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9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 베이스 위에 제2 마스크층을 형성하는 단계는,
스퍼터링(sputtering)이나 화학증착(CVD), 이베퍼레이션(evaporation)으로 베이스 일면에 제2 마스크층을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 마스크층을 1차로 제거하는 단계는,
제2 마스크층을 식각하여 제1 마스크층의 제1 마스크 패턴들 또는 베이스의 가패턴들 양측면과 대응하는 사이드월(side wall) 모양의 제2 마스크 패턴들을 형성하는 나노 패턴 형성방법
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11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 마스크층을 1차로 제거하는 단계는,
제1 마스크층과 반응하는 않는 식각용 약액을 사용하여 블랑켓 식각으로 진행하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성방법
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12
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 마스크층을 2차로 제거하는 단계는,
제1 마스크층의 제1 마스크 패턴들을 베이스 측에서 식각으로 제거하는 나노 패턴 형성방법
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13
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 베이스를 2차로 식각하는 단계 또는, 상기 베이스를 식각하는 단계는,
제2 마스크층의 제2 마스크 패턴들을 식각용 마스크로 사용하여 베이스를 선택적으로 식각하면서 나노 패턴들을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성방법
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14
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 마스크층을 2차로 제거하는 단계는,
제2 마스크층의 제2 마스크 패턴들을 식각에 의해 베이스 측에서 제거하는 나노 패턴 형성방법
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15
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 나노 패턴 형성 방법은,
기판이나 스템프, 웨이퍼, 필름 측에 나노 패턴들을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 나노 패턴 형성방법
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