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LIGA 공정용 X-선 마스크

  • 기술번호 : KST2015146654
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LIGA 공정용 X-선 마스크를 개시한다.본 발명은 기판과, 기판 위에 형성되는 X-선 투과특성이 우수한 질화실리콘 재질의 제 1 멤브레인과, 제 1 멤브레인 위에 형성되어 제 1 멤브레인의 내구성을 향상시키는 금속재질의 제 2 멤브레인과, 제 2 멤브레인 위에 소정 형상으로 패터닝되어 X-선을 흡수하는 흡수체와, 노광되는 면적을 한정할 수 있도록 기판 뒷면이 제거되어 형성되는 윈도우를 포함한다.본 발명에 따르면, X-선 마스크의 멤브레인의 특성 및 내구성을 개선하여 LIGA 공정으로 제조하는 구조물의 허용오차를 1/10,000㎝ 이하로 실현할 수 있으면서도 200㎛ 이상의 감광제의 노광시간을 단축할 수 있으며, 멤브레인의 노광 면적을 넓혀 생산성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 1/22(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1019980054457 (1998.12.11)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0278438-0000 (2000.10.19)
공개번호/일자 10-2000-0039199 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성제 대한민국 경기도 과천시
2 정석원 대한민국 충청남도 공주시
3 박순섭 대한민국 경기도 평택시
4 신상모 대한민국 경기도 용인군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1998.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0454830-69
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0422495-72
3 출원심사청구서
Request for Examination
1998.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1998-0422496-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification
1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084266-67
6 등록사정서
Decision to grant
2000.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0214646-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

X-선 마스크를 구비하는 LIGA(LIthographie, Galvanoformung, Abformung) 공정에 있어서,

기판과;

상기 기판 위에 형성되는 X-선 투과특성이 우수한 질화실리콘 재질의 제 1 멤브레인과;

상기 제 1 멤브레인 위에 형성되어 제 1 멤브레인의 내구성을 향상시키는 금속재질의 제 2 멤브레인과;

상기 제 2 멤브레인 위에 소정 형상으로 패터닝되어 X-선을 흡수하는 흡수체와;

노광되는 면적을 한정할 수 있도록 상기 기판 뒷면이 제거되어 형성되는 윈도우를 포함하는 LIGA 공정용 X-선 마스크

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 멤브레인은 Ti 또는 Cr 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LIGA 공정용 X-선 마스크

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 멤브레인의 두께는 100 ∼ 200Å 이하인 것을 특징으로 하는 LIGA 공정용 X-선 마스크

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 기판의 뒷면에 백색 X-선의 X-선 스팩트럼을 제어할 수 있는 스팩트럼 제어막을 형성하는 것을 특징으로 하는 LIGA 공정용 X-선 마스크

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 스팩트럼 제어막의 재질은 Al 또는 Cr 금속 또는 그 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LIGA 공정용 X-선 마스크

6 6

X-선 마스크를 구비하는 LIGA(LIthographie, Galvanoformung, Abformung) 공정에 있어서,

기판 위에 X-선 투과특성이 우수한 질화실리콘 재질의 제 1 멤브레인을 형성하는 단계와;

상기 제 1 멤브레인 위에 제 1 멤브레인의 내구성을 향상시키는 금속재질의 제 2 멤브레인을 형성하는 단계와;

상기 제 2 멤브레인 위에 X-선을 흡수하는 흡수체를 형성하여 소정 형상으로 패터닝하는 단계와;

노광되는 면적을 한정할 수 있도록 상기 기판 뒷면을 제거하여 윈도우를 형성하는 단계를 포함하는 LIGA 공정용 X-선 마스크 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.