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다공질실리콘의선택형성을위한아몰퍼스실리콘마스킹방법

  • 기술번호 : KST2015223587
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아몰피스 실리콘 마스킹방법에 관한 것으로서, 반도체 집적회로 제조공정에 있어서 금속화공정(알루미늄 금속전극 형성공정)까지 완전히 끝난 기판위에 SiO₂혹은 Si₃N₄ 절연막(7)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한후 진성(intrinsic)이나 저농도의 N형 아몰퍼스 실리콘층ㅊ(8)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법이나 스피터링(sputtering)법으로 형성하며, 포토레지스트로 다공질 실리콘을 형성할 부위를 패턴화하여 다공질 실리콘을 형성할 부위만의 아몰피스 실리콘층(8)을 형성함으로써 아몰피스 실리콘층을 보호막으로 이용하여 알루미늄 금속선까지도 완전한 형태로 보호할 수 있으면서도 간단하게 미세구조를 정확히 형성할 수 있는 다공질 실리콘의 선택형성을 위한 아몰피스 실리콘 마스킹 방법이다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/76844(2013.01) H01L 21/76844(2013.01) H01L 21/76844(2013.01)
출원번호/일자 1019930029501 (1993.12.24)
출원인 대한민국경북대학교센서기술연구소, 만도기계 주식회사
등록번호/일자 10-0118636-0000 (1997.07.22)
공개번호/일자 10-1995-0021043 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970005674 (19970418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시 북구
2 만도기계 주식회사 대한민국 경기도 군포시 군포로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대구직할시남구
2 조찬섭 대한민국 경상북도경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147823-43
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147824-99
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147825-34
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1995.02.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0147826-80
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070564-22
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070565-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0028808-10
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번호 청구항
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반도체 집적회로 제조공정에 있어서, 금속화공정(알루미늄 금속전극 형성공정)까지 완전히 끝난기판위에 SiO2 혹은 Si3N4 절연막(7)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한 후 진성(intrinsic)이나 저농도의 N형 아몰퍼스 실리콘층(8)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법이나 스퍼터링(sputtering)법으로 형성하며, 포토레지스트로 다공질실리콘을 형성할 부위를 패턴화하여 다공질 실리콘을 형성할 부위만의 아몰퍼스 실리콘층(8)을 식각하고, 불산용액에서 양극반응시켜 선택적으로 다공질 실리콘(9)을 형성하는 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘의 선택형성을 위한 아몰퍼스 실리콘 마스킹방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.