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반도체 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2019020123
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 반도체 소자 제조방법은, 반도체층을 마련하는 단계, 반도체층을 식각하여, 소스 구조, 드레인 구조 및 소스 구조와 드레인 구조를 연결하는 복수의 채널 구조를 형성하는 단계, 복수의 채널 구조를 덮도록 레지스트를 형성하는 단계, 레지스트에, 게이트 풋 패터닝 및 게이트 헤드 패터닝을 위한 전자빔 노광 공정을 수행하는 단계, 전자빔 노광 공정에 의해 노광된 부분을 제거하여 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴을 형성하는 단계, 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴에 게이트 물질을 증착하는 단계 및 레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/033 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01) H01L 29/66795(2013.01)
출원번호/일자 1020180044926 (2018.04.18)
출원인 경북대학교 산학협력단, 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0121523 (2019.10.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인만 대구광역시 수성구
2 서재화 대구광역시 수성구
3 장환수 대구광역시 달서구
4 조민수 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
2 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0384089-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2018-0069053-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0426344-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0839873-35
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0839872-90
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0799272-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
반도체 소자 제조방법에 있어서,반도체층을 마련하는 단계;상기 반도체층을 식각하여, 소스 구조, 드레인 구조 및 상기 소스 구조와 상기 드레인 구조를 연결하는 복수의 채널 구조를 형성하는 단계;상기 복수의 채널 구조를 덮도록 레지스트를 형성하는 단계;상기 레지스트에, 게이트 풋 패터닝 및 게이트 헤드 패터닝을 위한 전자빔 노광 공정을 수행하는 단계;상기 전자빔 노광 공정에 의해 노광된 부분을 제거하여 게이트 풋 패턴과 게이트 헤드 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 풋 패턴과 상기 게이트 헤드 패턴에 게이트 물질을 증착하는 단계; 및상기 레지스트를 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 복수의 채널 구조는,상기 복수의 채널 구조의 폭과 상기 복수의 채널 구조 사이의 간격의 비율이 1:2이 되도록 형성되는 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 레지스트를 형성하는 단계는,광학적 특성이 서로 다른 제1 레지스트, 제2 레지스트 및 제3 레지스트를 하부에서부터 순차적으로 적층하는 반도체 소자 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 레지스트의 높이는 상기 복수의 채널 구조의 높이보다 높은, 반도체 소자 제조방법
4 4
제2항에 있어서,상기 제1 레지스트의 높이는 상기 복수의 채널 구조의 높이보다 1
5 5
제2항에 있어서,상기 제1 레지스트는 폴리메틸메타크릴레이트(poly methyl methacrylate)이고,상기 제2 레지스트는 메틸메타크릴레이트(methyl methacrylate)와 메타크릴산(methacrylic acid)의 공중합체이고,상기 제3 레지스트는 α-클로로메타크릴레이트(α-chloromethacrylate)와 α-메틸스틸렌(α-methylstyrene)의 공중합체인, 반도체 소자 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체층을 마련하는 단계는,제1 반도체층을 마련하는 단계; 및 상기 제1 반도체층에 2차원 전자가스(2DEG;2-Dimensional Electron Gas)를 유발하는 제2 반도체층을 상기 제1 반도체층 상에 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 반도체층은 GaN로 구성되며, 상기 제2 반도체층은 AlGaN 또는 AlN로 구성되는 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.