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반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 기 설정된 크기를 갖는 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 질화물층을 형성하는 단계;상기 질화물층의 일 영역을 건식 식각하여 사각형 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 사각형 패턴이 형성된 반도체 소자를 알칼리 용액을 이용하여 습식 식각을 하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 사각형 패턴을 형성하는 단계는, 플랫존(flat zone)을 기준으로 수평 방향으로 복수의 직사각형 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 사각형 패턴을 형성하는 단계는, 플랫존(flat zone)을 기준으로 수직 방향으로 복수의 직사각형 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 알칼리 용액은, EDP (ethylene dianmine pyrocatechol), KOH (potassium hydroxide), KOH-IPA (potassium hydroxide isopropyl alcohol), TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 습식 식각 결과 상기 반도체 소자는, 육각형의 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화물층은, 갈륨나이트라이드(GaN)층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노패턴은, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 잇는 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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