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챔버 내에 기판을 준비하는 단계;상기 챔버 내에 실리콘(Si) 전구체를 제공하는 단계; 상기 챔버 내에 수소를 포함하는 가스 및 산소를 포함하는 가스를 제공함으로써, 상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스가 서로 반응하여 상기 챔버 내에 H2O 산화제가 생성되는 단계; 및 상기 실리콘 전구체와 상기 H2O 산화제에 포함된 산소가 반응하여 실리콘 및 산소를 포함하는 박막이 형성되는 단계를 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체를 제공하는 단계에서, 도핑 전구체가 상기 챔버 내에 상기 실리콘 전구체와 함께 제공되는 것을 포함하되,상기 도핑 전구체는 도핑 원소를 포함하고,상기 도핑 원소는 탄소, 질소, 및 수소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 절연막의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 실리콘 전구체를 제공하는 단계와 상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스를 제공하는 단계가 교대로 그리고 반복적으로 수행되어, 실리콘, 산소, 및 상기 도핑 원소를 포함하는 박막이 반복적으로 적층되는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스를 제공하는 단계 후, 탄소, 질소, 및 수소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 도핑 원소를 갖는 도핑 전구체가 상기 챔버 내에 제공되는 단계;상기 도핑 전구체가 상기 챔버 내로 제공된 후, 상기 챔버 내에 상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스를 제공함으로써, 상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스가 서로 반응하여 상기 챔버 내에 H2O 산화제가 생성되는 단계; 및 상기 도핑 전구체와 상기 H2O 산화제 내의 산소가 반응하여 상기 도핑 원소 및 산소를 포함하는 박막이 형성되는 단계를 더 포함하는 절연막의 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 실리콘 및 산소를 포함하는 박막, 및 상기 도핑 원소 및 산소를 포함하는 박막이 교대로 그리고 반복적으로 적층되는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제2 항 또는 제4 항에 있어서,상기 절연막은 제1 계면, 제2 계면, 및 상기 제1 계면과 상기 제2 계면 사이의 중심부를 포함하되,상기 도핑 원소가 탄소인 경우,상기 제1 및 제2 계면에서의 탄소 함유랑이 상기 중심부에서의 탄소 함유량보다 적은 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 중심부로부터 상기 제1 및 제2 계면으로 근접할수록, 상기 탄소함유량이 점차적으로 감소하는 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 계면에서의 기공도가, 상기 중심부에서의 기공도보다 작은 것을 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 전구체를 제공하는 단계는, 상기 기판 상에 실리콘 전구체를 제공하는 제1 펄스(pulse) 단계 및 상기 기판 및 실리콘 전구체의 반응 잔여물을 배출하는 제1 퍼지(purge) 단계를 포함하고,상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스를 제공하는 단계는, 상기 기판 상에 상기 수소를 포함하는 가스 및 상기 산소를 포함하는 가스를 제공하는 제2 펄스 단계 및 상기 실리콘 및 산소를 포함하는 박막의 형성 반응에 참여하지 못한 상기 실리콘 전구체, 상기 H2O 산화제, 상기 수소 또는 산소를 포함하는 가스를 배출하는 제2 퍼지 단계를 포함하는 절연막의 제조 방법
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제1 계면, 제2 계면, 및 상기 제1 및 제2 계면 사이의 중심부를 포함하되, 상기 중심부로부터 상기 제1 및 제2 계면으로 근접할수록, 탄소 함유량이 감소하는 제1 박막을 포함하는 절연막
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제10 항에 있어서,상기 제1 박막과 교대로 그리고 반복적으로 적층되고 실리콘 및 산소를 포함하는 제2 박막을 더 포함하는 절연막
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제10 항에 있어서,상기 제1 박막은 실리콘, 산소 및 탄소를 포함하고, 복수의 상기 제1 박막이 반복적으로 적층된 구조를 포함하는 절연막
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제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 계면에서의 기공도가, 상기 중심부에서의 기공도보다 작은 것을 포함하는 절연막
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