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IGO 박막의 제조 방법, 및 IGO 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019000733
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 IGO 박막의 제조 방법이 제공된다. 상기 IGO 박막의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에, 인듐 전구체 및 갈륨 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 기판 상에, 과산화수소를 포함하는 반응 가스를 제공하여, 인듐 갈륨 산화물 박막을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020170098880 (2017.08.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0014847 (2019.02.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 성가진 대한민국 서울특별시 성동구
3 이정훈 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0753372-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0358382-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0039034-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0739050-76
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1321330-06
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0116004-84
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0211720-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0211718-15
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0488176-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.08.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0799443-99
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0799442-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0637276-52
16 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5034496-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에, 인듐 전구체를 제공하는 단계; 상기 인듐 전구체가 제공된 상기 기판 상에 갈륨 전구체를 제공하는 단계;상기 인듐 전구체 및 상기 갈륨 전구체가 제공된 상기 기판 상에, 과산화수소를 포함하는 반응 가스를 제공하여, 상기 인듐 전구체 및 상기 갈륨 전구체가 과산화수소를 포함하는 상기 반응 가스와 동시에 반응되어 형성된, 인듐 갈륨 산화물 박막을 제조하는 단계를 포함하되,상기 인듐 전구체가 상기 갈륨 전구체 보다 먼저 제공되고,상기 인듐 전구체의 제공 시간은 상기 갈륨 전구체의 제공 시간보다 긴 것을 포함하는 IGO 박막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 InCa-1을 포함하고, 상기 갈륨 전구체는 TMGa를 포함하는 IGO 박막의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1 항 및 제3 항 중 어느 한 항에 따른 IGO 박막의 제조 방법으로 제조된 인듐 갈륨 산화물 박막;상기 인듐 갈륨 산화물 박막과 이격된 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 상기 인듐 갈륨 산화물 박막 사이의 게이트 절연막; 및상기 인듐 갈륨 산화물 박막 양측의 소스 및 드레인 전극을 포함하는 IGO 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 점/탈착력 제어 가능한 2-D 기반 소재 및 탈착 기술 개발