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기판 상에 수직 방향으로 연장 형성된 채 수평 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부 및 만입된 적어도 하나의 만입부를 포함하는 채널; 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 게이트; 및 상기 게이트의 양측에 대향되며 배치된 채 상기 채널의 일부분을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널은, 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 수직 방향으로 적층되며 연결된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널은, 상기 기판의 바디와 연결되며 상기 수직 방향으로 연장 형성됨으로써 부유 바디 효과에 기인한 문턱 전압의 변화를 제어 가능한 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널에서 상기 적어도 하나의 돌출부를 형성하는 물질 및 상기 적어도 하나의 만입부를 형성하는 물질은, 상기 적어도 하나의 만입부에 대한 선택적 에칭이 가능하도록 서로 상이한 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널에서 상기 적어도 하나의 돌출부를 형성하는 물질 및 상기 적어도 하나의 만입부를 형성하는 물질은, 동일한 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트, 상기 소스 및 드레인은, 서로 접촉되지 않고 일정 거리 이상 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 채널에 포함되는 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 게이트, 상기 소스 및 드레인과 직접적으로 맞닿지 않도록 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부를 감싸도록 형성되는 게이트 유전막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 기판 상 상기 기판의 바디의 양측에 형성되는 STI(Shallow Trench Isolation)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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기판 상에 서로 상이한 적어도 하나의 제1 물질층 및 적어도 하나의 제2 물질층이 수직 방향으로 교번하며 적층된 채널 구조물을 연장 형성하는 단계; 상기 채널 구조물에 상기 수직 방향으로 트렌치(Trench)를 형성하는 단계; 상기 트렌치 내에 상기 적어도 하나의 제1 물질층과 동일한 물질을 채워 넣어 상기 적어도 하나의 제1 물질층을 연결하는 적어도 하나의 연결층을 형성하는 단계;상기 채널 구조물에서 상기 적어도 하나의 제2 물질층을 제거하여, 수평 방향으로 돌출된 상기 적어도 하나의 제1 물질층으로 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 수평 방향으로 만입된 상기 적어도 하나의 연결층으로 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성하는 단계; 상기 채널의 일부분을 감싸도록 게이트를 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 게이트의 양측에 대향되며 배치된 채 상기 채널의 일부분을 감싸도록 소스 및 드레인을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 수직 방향으로 적층되며 연결된 구조를 갖도록 상기 채널을 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성한 이후, 상기 채널에 포함되는 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 게이트, 상기 소스 및 드레인과 직접적으로 맞닿지 않도록 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부를 감싸도록 게이트 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 채널 구조물을 연장 형성하기 이전, 상기 채널 구조물이 연장 형성될 위치의 양측에 STI(Shallow Trench Isolation)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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기판 상에 서로 상이한 적어도 하나의 제1 물질층 및 적어도 하나의 제2 물질층이 수직 방향으로 교번하며 적층된 채널 구조물을 연장 형성하는 단계; 상기 채널 구조물에서 상기 적어도 하나의 제2 물질층의 일부분을 제거하여, 수평 방향으로 돌출된 상기 적어도 하나의 제1 물질층으로 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 수평 방향으로 만입된 상기 적어도 하나의 제2 물질층으로 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성하는 단계; 상기 채널의 일부분을 감싸도록 게이트를 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 게이트의 양측에 대향되며 배치된 채 상기 채널의 일부분을 감싸도록 소스 및 드레인을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 수직 방향으로 적층되며 연결된 구조를 갖도록 상기 채널을 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 채널의 적어도 하나의 돌출부를 형성하고 상기 채널의 적어도 하나의 만입부를 형성한 이후, 상기 채널에 포함되는 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부가 상기 게이트, 상기 소스 및 드레인과 직접적으로 맞닿지 않도록 상기 적어도 하나의 돌출부 및 상기 적어도 하나의 만입부를 감싸도록 게이트 유전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 채널 구조물을 연장 형성하기 이전, 상기 채널 구조물이 연장 형성될 위치의 양측에 STI(Shallow Trench Isolation)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
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