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반도체 소자 제조방법, 이를 이용한 반도체 소자 모니터링방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2014029607
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 제조방법, 이를 이용한 반도체 소자 모니터링 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은 전극 및 상기 전극과 접촉하는 절연층을 포함하는 반도체 소자의 상기 전극에 전압을 인가하는 단계; 및 탐침 현미경의 탐침을 상기 절연층의 일단면에 접촉시킴으로써 사용자가 원하는 위치에 전도성 통로를 상기 절연층 내에 형성시키는 것을 특징으로 하며, 사용자가 원하는 정확한 위치에 전도성 통로를 형성시킬 수 있으므로, 공정 제어가 매우 용이하다. 또한 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법을 이용하는 경우 스위칭 소자의 면적도 축소시킬 수 있으며, 더 나아가, 종래 기술의 경우 전도성 통로 형성을 확인하기 위해서는 별도의 모니터링 단계가 요구되었으나, 본 발명의 경우 전도성 통로를 구비한 반도체 소자를 제조한 후, 즉시 별도의 공정 없이 반도체 소자를 모니터링할 수 있으므로 공정 경제적이다.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080068288 (2008.07.14)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1041916-0000 (2011.06.09)
공개번호/일자 10-2010-0007594 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김순구 대한민국 서울특별시 양천구
2 민승기 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 장용문 대한민국 서울특별시 강서구
4 김현정 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 최상식 경기도 오산시 운암로 **,
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0505502-43
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0816083-19
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0402852-15
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0497005-88
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603686-06
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0104555-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0104556-41
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0294019-47
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극 및 상기 전극과 접촉하는 절연층을 포함하는 반도체 소자의 전극에 전압을 인가하는 단계; 및 탐침 현미경의 탐침을 상기 절연층의 일단면에 접촉시킴으로써 사용자가 원하는 위치에 전도성 통로를 상기 절연층 내에 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전도성 통로는 상기 탐침 현미경의 탐침과 상기 절연층이 접촉하는 위치 및 상기 전극 간에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 reRAM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 전도성 통로의 길이는 상기 탐침 현미경의 탐침과 상기 절연층이 접촉하는 위치를 조절함으로써 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 탐침현미경은 주사 탐침 현미경인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 주사 탐침 현미경은 접촉식의 전도성 원자힘 현미경(CAFM, conductive AFM)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따라 반도체 소자를 제조한 후, 상기 탐침현미경을 이용하여 상기 반도체 소자를 모니터링하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 모니터링 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 모니터링은 상기 절연층과 접촉하는 탐침현미경의 상기 탐침의 전기적 특성을 측정함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 모니터링 방법
9 9
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 제조된 반도체 소자
10 10
제 9항에 있어서, 상기 반도체 소자는 reRAM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 동국대학교 산학협력단 두뇌한국(BK)21사업 차세대 나노반도체 원천핵심 과학기술인력양성팀