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단결정 기판 상에 결정 희생층을 형성하는 단계;상기 결정 희생층 상에 주산화물층을 형성하여 예비 산화물 박막을 제조하는 단계; 및상기 예비 산화물 박막을 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 열처리 단계에서 상기 결정 희생층의 이종 금속 이온이 주산화물층으로 자가 확산하여 도핑되는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 결정 희생층은 상기 단결정 기판의 결정 방향에 따라 일정한 방향으로 결정화되는 것인, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 결정 희생층 또는 주산화물층은 스퍼터링(sputtering), 펄스레이저증착(PLD), 전자빔 증착(e-beam evaporator), 화학기상증착법 (PECVD, MOCVD), 원자막 증착(ALD), 및 분자빔에피택시(MBE) 중 하나 이상을 포함하는 방법을 통하여 증착되는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리 단계는 공기, 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 및 수소(H2) 중 하나 이상의 분위기에서 수행되는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리 단계는 400 - 800℃범위의 온도에서 수행되는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 결정 희생층은 SnO2, TiO2, Ti2O3, VO2, V2O5, V2O3, In2O3, WO3, ZnO, MoO3, Nb2O3, NbO2, Fe2O3, CuO, NiO, Co3O4, Ga2O3, MgO, PbO, Li2O, HfO2, Al2O3, SiO2, CrO2, MnO2, CuO, ZrO2, RuO2, Rh2O3, PdO, Ag2O, 및 CdO 로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 결정 희생층과 주산화물층은 접합 면에서 결정격자 차이가 1% 이하인, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 주산화물층은 SnO2, TiO2, Ti2O3, VO2, V2O5, V2O3, In2O3, ZnO, WO3, MoO3, Nb2O3, NbO2, Fe2O3, CuO, NiO, Co3O4, Ga2O3, MgO, PbO, Li2O, HfO2, Al2O3, SiO2, CrO2, MnO2, CuO, ZrO2, RuO2, Rh2O3, PdO, Ag2O, 및 CdO으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 이종 금속 원소의 이온 반경과 주산화물층의 금속 이온 반경의 차이가 5% 이하인, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리 단계를 거친 주산화물층은 라만 스펙트럼 분석에서 이차상(secondary phase)을 나타내지 않는, 산화물 박막 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 단결정 기판은 Si, SiC, Ge, Al2O3, TiO2, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, SrTiO3, 및 MgO으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는, 산화물 박막 제조 방법
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