맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 - 무기 나노 복합 절연층을 포함하여 이루어진 유기물반도체 소자, 유기 - 무기 나노 복합 절연체 용액 및 이들의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014010251
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기-무기 나노 복합 절연층을 구비한 유기물 반도체 소자, 유기-무기 나노 복합 절연체 용액 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기물 반도체의 제조 방법은, 기판을 제조하는 단계, 씨드 레이어를 형성하고 패터닝 하는 단계, 게이트 전극을 형성하는 단계, 유기-무기 나노 복합 절연층을 형성하는 단계, 유기물 반도체 층을 형성하는 단계, 및 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따라 유기-무기 나노 복합 절연층을 포함하는 제조 방법은, 종래의 유기물 절연층 및 무기물 절연층이 적용된 유기물 반도체 소자에 비하여 누설 전류 특성이 낮고, 고유전율을 가지는 등의 전기적 특성 및 굽힘 강도 등의 기계적 특성도 매우 우수한 반도체 소자의 제조가 가능하게 한다. 무기-유기 나노 복합 절연층, 유기물 반도체 소자, 무기 산화물 나노 입자, 플렉시블 기판
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 51/30 (2011.01)
CPC H01L 51/0537(2013.01) H01L 51/0537(2013.01)
출원번호/일자 1020070078667 (2007.08.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0878225-0000 (2009.01.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.06)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기 과천시
2 노화영 대한민국 부산 중구
3 설영국 대한민국 경북 경주시
4 김선일 대한민국 경남 밀양시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0570422-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028381-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0333008-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0599704-95
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0599711-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0643954-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 제조하는 단계; 기판 상부에 게이트 전극의 도금성 향상을 위한 씨드 레이어를 형성하는 단계;형성된 씨드 레이어 상부에 감광제를 코팅하여 감광층을 형성하고 패터닝 하는 단계;상기 감광층 중에서 패터닝에 의해 감광제가 존재하지 않는 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 감광층을 제거하는 단계;게이트 전극이 형성된 기판에 유기-무기 나노 복합 절연층을 형성하는 단계; 형성된 절연층 상부에 유기물 반도체 층을 형성하는 단계; 및 소스/드레인 전극층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 유기-무기 나노 복합 절연층을 형성하는 단계는 무기산화물 나노입자를 제조하는 단계; 제조된 무기산화물 나노입자를 pH 4~4
2 2
제1항에 있어서,상기 기판을 금속과 기판의 접착력 향상을 위하여 표면 처리 하는 단계; 및 표면 처리된 기판에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 표면처리는 산소 유도 결합형 플라즈마를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 접착층은 크롬 층인 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 유기물로 이루어진 플렉시블 기판인 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 유기물은 PI, PEN, PES, PET, PC, PAR, PNB, COP, COC, PPS 및 OPS 로 이루어진 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 씨드 레이어 층은 구리 층이며, 게이트 전극은 니켈로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 유기-무기산화물 나노 복합 용액을 게이트 전극이 형성된 기판에 코팅하는 단계는 스핀코팅 방법을 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 유기-무기산화물 나노 복합 용액을 게이트 전극이 형성된 기판에 코팅하는 단계 후 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 무기산화물 나노입자는, Al2O3, BaTiO2, Ta2O5, SrTiO3 로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 분산시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 유기물 절연체는, 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 유기-무기 나노 복합 절연층을 프린팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 유기-무기산화물 나노 복합 용액을 게이트 전극이 형성된 기판에 코팅하는 단계는 프린팅 방법을 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
무기 산화물 나노입자, pH 4~4
22 22
제21항에 있어서, 상기 유기물 절연체는 가교 PVP, PVA 및 에폭시 중 선택된 유기 폴리머인 것을 특징으로 하는 유기-무기 나노 복합 절연체 용액
23 23
제21항에 있어서, 상기 무기 산화물은 Al2O3, BaTiO3, TiO2, Ta2O5 및 SrTiO3 중 선택된 것임을 특징으로 하는 유기-무기 나노 복합 절연체 용액
24 24
무기산화물 나노입자, pH 4~4
25 25
제24항에 있어서, 상기 무기 산화물은 Al2O3, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, SrTiO3 중 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기물 반도체 소자 제조에 사용되는 유기-무기 나노 복합 절연체 용액의 제조 방법
26 26
제24항에 있어서, 상기 무기 산화물을 분산시키는 단계는, 분쇄기, 원심분리기, 초음파 장비, 교반 장치 및 진공 오븐 중 선택된 1종 이상의 방법을 단독 또는 병행하여 행하는 것을 특징으로 하는, 유기물 반도체 소자 제조에 사용되는 유기-무기 나노 복합 절연체 용액의 제조 방법
27 27
제24항에 있어서, 상기 유기 절연체로서, 가교 PVP, PVA 및 에폭시 중 선택된 유기물 폴리머를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유기물 반도체 소자 제조에 사용되는 유기-무기 나노 복합 절연체 용액의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 성균관대학교 산학협력단 2006 기초연구 기초과학 기능성 나노복합 게이트 절연체 박막소재를 이용한 신개념유기박막트랜지스터 소자