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플렉서블한 유기물 기판 상에 금속 배선을 형성시키는 방법으로서,(a) 플렉서블한 유기물 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 위에 감광성 절연체를 형성시키는 단계;(c) 상기 감광성 절연체를 미리 패턴이 형성된 광학마스크를 이용하여 패턴화시키는 단계;(d) 상기 기판의 일면에 플라즈마 표면 처리하는 단계;(e) 상기 기판의 패턴화된 감광성 절연체 상에 선택적으로 촉매제의 흡착 방지막을 전사하는 단계; 및(f) 상기 패턴화된 기판에 무전해도금, 또는 무전해도금 후 전해도금 공정을 이용하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 방법
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플렉서블한 유기물 기판 상에 금속 배선을 형성시키는 방법으로서,(a) 플렉서블한 유기물 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 위에 촉매제의 선택적 흡착을 가능하게 하는 기능성 박막을 형성시키는 단계;(c) 상기 기판 위에 유기 감광성 절연체를 형성시키는 단계;(d) 상기 유기 감광막을 미리 패턴이 형성된 광학마스크를 이용하여 패턴화시키는 단계;(e) 상기 기판의 일면에 플라즈마 표면 처리하는 단계; 및(f) 상기 패턴화된 기판에 무전해도금, 또는 무전해도금 후 전해도금을 이용하여 금속 배선을 형성시키는 단계를 포함하는 방법
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플렉서블한 유기물 기판 상에 금속 배선을 형성시키는 방법으로서,(a) 플렉서블한 유기물 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 위에 무기 박막을 형성시키는 단계;(c) 상기 기판 위에 감광성 절연체를 형성시키는 단계;(d) 상기 감광성 절연체를 미리 패턴이 형성된 광학 마스크를 이용하여 패턴화시키는 단계;(e) 상기 기판의 일면에 건식식각 및 플라즈마 표면 처리하는 단계; 및(f) 상기 패턴화된 기판에 무전해도금, 또는 무전해도금 후 전해도금을 이용하여 금속 배선을 형성시킨 후, 단계 (b)에 의해 형성된 무기층을 제거하는 단계를 포함하는 방법
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 플렉서블한 유기물 기판이 폴리이미드임을 특징으로 하는 방법
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마 표면 처리가 산소(O2) 분위기에서의 유도 결합형 플라즈마 처리; 질소(N2) 및 수소(H2) 분위기에서의 플라즈마 처리; 또는 산소(O2) 분위기에서의 유도 결합형 플라즈마 처리를 수행한 후 연속적으로 질소(N2) 및 수소(H2) 분위기에서의 플라즈마 처리를 수행함을 특징으로 하는 방법
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제 2항에 있어서, 흡착 방지막이 옥타데실트리클로로실란(OTS;CH3(CH2)17SiCl3), 옥타데실트리메톡시실란(ODS;CH3(CH2)17Si(OCH3)3), 트리메틸실란(TMS;(CH3)3SiH) 및 4-히드록시티오페놀(HTP;HSC6H4OH)로부터 구성된 군으로부터 선택된 실란 계열 자체-조립된 단일층SAM; self-assembled monolayer) 또는 유기막임을 특징으로 하는 방법
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제 3항에 있어서, 기능성 박막이 아민 또는 아미드기를 갖는 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTS;NH2(CH2)3Si(OC2H5)3), 3-아미노프로필트리에톡시실록산(APS;(CH3CH2O)3Si(CH2)3NH2), n-(6-아미노헥실)아미노프로필트리메톡시실란(AHAPS;H2N(CH2)6NH(CH2)3Si(OCH3)3), 3-아미노프로필트리메톡시실란(APTMS;H2N(CH2)3Si(OCH3)3), 3-아미노티올페놀(ATP;HS(CH2)15CONH2), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(EDA;C8H22N2O3Si), 트리메톡시실릴프로필디에틸렌트리아민(DETA;C10H27N3O3Si), (아미노에틸아미노메틸)펜틸트리메톡시실란(PEDA;C14H26N2O3Si)로 구성된 군으로부터 선택된 자체-조립된 단일층, 또는 습식 코팅 또는 건식 코팅에 의해 형성된 폴리머인 것을 특징으로 하는 방법
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제 4항에 있어서, 무기 박막이 산화규소(SiOx), 산화알루미늄(AlxOy), 산화탄탈륨(TaxOy) 또는 산화티타늄(TiOx) 임을 특징으로 하는 방법
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 배선이 니켈, 구리 또는 금으로 이루어진 배선임을 특징으로 하는 방법
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