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유기단분자층 및 블록공중합체를 포함하는 나노구조체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014011519
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, (a) 산화물 기판을 형성하는 단계, (b) 상기 산화물 표면에 블록공중합체 박막을 형성시키는 단계 및 (c) 상기 블록공중합체를 열처리하여 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계를 포함하는, 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르며, 다양한 종류의 산화물 기판 상에 블록공중합체 나노구조를 포함하는 나노구조체를 제공하는 효과가 있으며, 나노구조체 제조시에 사용된 블록공중합체를 구성하는 각 블록의 상대적인 조성비에 따라 블록공중합체의 자기조립 나노구조의 형태가 달라지므로, 이렇게 여러가지 형태로 나타내는 나노구조를 이용하여 다양한 용도로 상기 나노구조체를 용이하게 활용할 수 있다.산화물, 전도성 산화물, 유기단분자, 고분자, 블록공중합체
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070051020 (2007.05.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0885666-0000 (2009.02.19)
공개번호/일자 10-2008-0103812 (2008.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20090225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.25)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전 유성구
2 정성준 대한민국 대전 유성구
3 김봉훈 대한민국 대전 유성구
4 신동옥 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0384346-21
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0565615-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0013366-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0419166-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0708258-57
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0708242-27
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0070029-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 블록공중합체의 나노구조체를 제조하는 방법:(a) 산화물 기판을 형성하는 단계;(b) 상기 산화물 기판 상에 중성층을 형성시키는 단계;(c) 상기 중성층 표면에 블록공중합체 박막을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 블록공중합체를 열처리하여 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 산화물 기판은 증착법, 단결정 형성법, 고상법 및 졸겔법으로 구성된 군에서 선택되는 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 산화물은 전도성 산화물 또는 비전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 전도성 산화물은 이성분계 전도성 산화물 또는 삼성분계 전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 이성분계 전도성 산화물은 RuOx, PdOx, IrOx, PtOx, OsOx, RhOx, ReOx 및 ZnOx로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 삼성분계 전도성 산화물은 SrRuO3, In1-xSnxO3 및 NaxW1-xO3으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 비전도성 산화물은 이성분계 비전도성 산화물 또는 삼성분계 비전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 이성분계 비전도성 산화물은 AlOx, TiOx, TaOx, HfOx, BsOx, VOx, MoOx, SrOx, NbOx, MgOx, SiOx, FeOx, CrOx, NiOx, CuOx 및 ZrOx로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 삼성분계 비전도성 산화물은 SiTiO3, BaTiO3, AlxTi1-xOy, HfSi1-xOy, HfAl1-xOy, TixSi1-xOy 및 LaTiO3로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제2항에 있어서, 상기 단결정 형성법은 Nb-SrTiO3 단결정을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서, 상기 중성층은 유기단분자층 박막 또는 식각을 이용하여 형성된 중성층인 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 유기단분자층은 자기조립 단분자층(Self-assembled Monolayer: SAM), 폴리머 브러쉬(Polymer Brush) 및 MAT(cross-linked random copolymer mat)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 자기조립 단분자층은 펜틸트리클로로시란(Phenethyltrichlorosilane: PETCS), 페닐트리클로로실란(Phenyltrichlorosilane: PTCS), 벤질트리클로로실란(Benzyltrichlorosilane: BZTCS), 토일트리클로로실란(Tolyltrichlorosilane: TTCS), 2-[(트리메톡시실일)에틸]-2-피리딘(2-[(trimethoxysilyl)ethl]-2-pyridine: PYRTMS)), 4-바이페닐일트리메톡시실란(4-biphenylyltrimethowysilane: BPTMS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane: OTS), 1-나프틸트리메톡시실란(1-Naphthyltrimehtoxysilane: NAPTMS), 1-[(트리메톡시실일)메틸]나프탈렌(1-[(trimethoxysilyl)methyl]naphthalene: MNATMS) 및 (9-메틸안트라세닐)트리메톡시실란{(9-methylanthracenyl)trimethoxysilane: MANTMS}으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 폴리머 브러쉬는 PS-random-PMMA인 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 MAT(cross-linked random copolymer mat)는 BCB-functionalized polystyrene-r-poly(methylmethacrylate) copolymer [P(S-r-BCB-r-MMA)]인 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제12항에 있어서, 상기 식각은 불산(hydrofluoric acid)을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
18 18
제12항에 있어서, 상기 중성층은 블록공중합체의 자기조립 나노구조체가 수직으로 성장할 수 있도록 하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
19 19
제1항에 있어서, 상기 블록공중합체의 각 블록의 조성비에 따라 자기조립 나노구조가 변화하는 것을 특징으로 하는 방법
20 20
제1항에 있어서, 상기 나노구조체의 제조시 사용된 블록공중합체는 폴리스틸렌(polystyrene)과 폴리스틸렌 이 외의 고분자가 공유결합한 형태인 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체는 PS-b-PMMA [polystyrene-block-poly(methylmethacrylate)], PS-b-PEO [polystyrene-block-poly(ethylene oxide)], PS-b-PVP [polystyrene-block-poly(vinyl pyridine)], PS-b-PEP [Polystyrene-block-poly(ethylene-alt-propylene)] 및 PS-b-PI[polystyrene-block-polyisoprene]로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
23 23
폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비가 0
24 24
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
25 25
폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비가 0
26 26
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
27 27
폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비가 0
28 28
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
29 29
폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비가 0
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1 WO2008147044 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2008147044 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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