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미각 수용체 기능화된 탄소 나노튜브 전계효과 트랜지스터 기반 미각센서 및 이를 포함한 고선택성 바이오 전자혀

  • 기술번호 : KST2014036948
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인간 미각 수용체 기능화된 단일벽 탄소 나노튜브-전계효과 트랜지스터(swCNT-FET)에 기초하고 인간의 미각 시스템을 모사한 고선택성의 바이오 전자혀에 관한 것이다. 본 발명자들은 최초로 미각 수용체 단백질을 인공혀에 적용하였으며 고선택성, 고민감성의 전자혀를 성공적으로 증명하였다. 이는 인간의 미각 수용체 단백질을 전자혀의 1차 신호 변환기로 사용함으로써 인간의 미각 시스템을 모방하는 전자혀를 구현하였다. 또한 기존의 전자혀에 비해 선택성과 민감성 측면에서 매우 우수하다. 본 발명에 의한 바이오 전자혀는 식품 산업에서 품질검사의 목적이나 맛 물질의 선별을 위한 도구로 사용될 수 있다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) G01N 33/02 (2006.01.01) G01N 27/414 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01)
출원번호/일자 1020100027992 (2010.03.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1684620-0000 (2016.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0108661 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20161208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 송파구
2 박태현 대한민국 서울특별시 서초구
3 김태현 대한민국 충청남도 천안시 서북구
4 송현석 대한민국 서울특별시 관악구
5 진혜준 대한민국 서울특별시 관악구
6 이상훈 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안상희 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 홍장원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나)
3 김익환 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층 (역삼동, 삼흥역삼빌딩)(하나국제특허법률사무소)
4 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)
5 신창준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층 (역삼동, 삼흥역삼빌딩)(하나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0199144-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0376704-04
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0217607-47
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0019870-37
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0396708-39
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0715169-22
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0715170-79
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0601990-42
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0819528-26
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0819527-81
16 등록결정서
Decision to grant
2016.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0628511-73
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 상에 형성된 단일벽 탄소 나노튜브로 이루어진 반도체 채널, 및 상기 반도체 채널의 양 단에 형성된 소스-드레인 전극을 포함하는 단일벽 탄소나노튜브-전계효과 트랜지스터(swCNT-FET); 및 상기 반도체 채널 표면의 적어도 일부에 형성된 hTAS2R 류의 쓴맛 수용체 단백질;을 포함하고, 상기 수용체 단백질은 재접힘(refolding)에 의해 기능화되고 특정 맛 물질과 선택적으로 결합하는 물질인, swCNT-FET기반 미각센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 채널을 제외한 기판 상에 형성된 자기조립단분자막; 상기 자기조립단분자막 상에 형성된 소스-드레인 전극을 포함하는, swCNT-FET기반 미각센서
3 3
제 2 항에 있어서, 소스-드레인 전극을 제외한 단일벽 탄소나노튜브-전계효과 트랜지스터 표면에 결합된 지질막 및 상기 지질막 내에 흡착된 미각 수용체 단백질을 포함하는, swCNT-FET기반 미각센서
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 수용체 단백질은 특정 맛 물질과 선택적으로 반응하는 미각 타입 및 특정 맛 물질과 반응하지 않는 미맹 타입을 포함하는, 미각센서
6 6
삭제
7 7
미각 타입 hTAS2R 류의 쓴맛 수용체 단백질을 포함하는 제1 swCNT-FET를 제작하는 과정; 미맹 타입 hTAS2R 류의 쓴맛 수용체 단백질을 포함하는 제 2 swCNT-FET를 제작하는 과정; 상기 수용체 단백질과 특이적으로 반응하는 맛 물질을 포함하는 시료를 제1 swCNT-FET및 제 2 swCNT-FET에 모두 반응시켜 시그널을 얻는 과정; 제1 swCNT-FET및 제 2 swCNT-FET로부터 얻은 시그널을 비교하는 과정;을 포함하는, 시료 내 미각 물질을 검출하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.