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유기발광다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036985
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 역구조 유기발광다이오드에서 제 1 전극(캐소드)과 전자전달층 또는 발광층 사이에 무기나노입자층을 삽입함으로써, 제 1 전극(캐소드)으로부터 유기층으로 전자의 주입을 향상시켜 역구조 유기발광다이오드의 구동전압을 낮추고 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01)
출원번호/일자 1020100005293 (2010.01.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0085480 (2011.07.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
2 이현구 대한민국 서울특별시 강서구
3 곽정훈 대한민국 서울특별시 마포구
4 윤도영 미국 서울특별시 관악구
5 박인선 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0039300-22
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0217236-10
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0471726-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0558513-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0558514-15
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0557924-42
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0002740-68
9 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2012.03.07 수리 (Accepted) 7-8-2012-0007557-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 음극, 전자주입 및 전자전달층, 발광층, 정공전달층 및 정공주입층, 양극의 순서로 이루어진 역(inverted) 구조 유기발광다이오드에 있어서, 전자주입 또는 전자전달층으로 ZnO, TiOx 등의 무기나노입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,음극은 ITO, IZO 또는 20 nm 이하의 얇은 금속(Al, Au, Ag, Ca, Ag:Mg, Mo 등)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,발광층은 저분자 유기층과 고분자 유기층, 또는 이 층에 색소를 도핑하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,정공전달층 및 정공주입층은 유기층, 또는 유기층에 p형 물질을 도핑하거나, WOx, NiOx 등의 무기나노입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,양극은 60 nm 이상의 금속(Al, Au, Ag, Ca, Ag:Mg, Mo 등)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.