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압축변형율의 변화를 이용하여 비정상 홀효과를 조절하기 위한 홀크로스구조

  • 기술번호 : KST2014037264
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압축변형율을 변화시켜 비정상 홀효과를 조절할 수 있도록 된 새로운 개념의 홀크로스구조에 관한 것이다.본 발명에 따른 홀크로스구조에 따르면, 홀크로스(2)가 상부로 버클링되거나 하부로 늘어지게 되고, 이와같이 발생되는 홀크로스(2)의 압축변형율의 변화에 따라 비정상 홀효과가 조절되도록 하므로, 이를 이용하여 고집적도와 저전력, 저분산, 그리고 비 휘발성을 갖는 메모리를 개발할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 27/10 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 21/302 (2006.01.01)
CPC G11C 11/18(2013.01)
출원번호/일자 1020100100000 (2010.10.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1198985-0000 (2012.11.01)
공개번호/일자 10-2012-0038310 (2012.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20121107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박윤 미국 서울특별시 서초구
2 양찬욱 대한민국 서울특별시 관악구
3 김태훈 대한민국 부산광역시 수영구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백상희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***,*층(대치동, 메이플타워)(특허법인테헤란)
2 김형덕 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층(역삼동, 쓰리엠타워)(특허법인메이저)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0662182-77
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.14 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0664355-15
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0664229-71
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0700777-14
5 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0700881-54
6 보정요구서
Request for Amendment		 2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0095757-68
7 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0096451-71
8 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0096455-53
9 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2010.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0107680-78
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072543-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0549364-98
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0843146-13
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0843145-78
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0199236-21
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0374761-49
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0374762-95
19 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0655354-85
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
식각에 의해 형성된 희생층(1)의 상부를 상호 교차하도록 통과하는 GaMnAs층의 홀크로스(2)를 갖도록 구성되며, 상기 홀크로스(2)는 희생층(1)의 상부를 통과하도록 길게 연장되는 빔(3)이 상호 교차되어 구성되며, 상기 빔(3)의 상면에는 피에조 머트리얼이 증착된 것을 특징으로 하는 홀크로스구조
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삭제
3 3
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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