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상변화 메모리 셀 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015159288
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화 물질 부분이 절연물질에 의해 서로 분리되는 성질을 이용하여 상변화 메모리 소자의 동작에 있어서 전류의 경로를 줄여 높은 전류밀도를 획득하여 상변화에 필요한 전기에너지의 소모가 작은 상변화 메모리셀 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 상변화메모리셀의 상변화층은 상변화물질(예를 들어, GeSbTe)과 절연물질(예를 들어, SiOx)이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된다. 상변화메모리, 상변화층, 절연물질, GeSbTe, SiOx
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060038310 (2006.04.27)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0919692-0000 (2009.09.23)
공개번호/일자 10-2007-0105752 (2007.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20091006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.27)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태연 대한민국 서울 성북구
2 김기범 대한민국 서울 관악구
3 이동복 대한민국 경상남도 밀양시
4 안동호 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0298637-27
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2006.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-5035463-73
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2006.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-5035462-27
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0467212-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015056-29
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0171385-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0378717-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0378718-51
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0487495-34
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.10.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0048644-60
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0631498-61
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0097244-98
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0097243-42
16 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0267178-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
하부전극과 상부전극 사이에 형성되는 상변화층은 상변화물질과 절연물질이 혼합된 물질을 포함하고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리되며, 상기 분리된 상변화물질에 의해 상변화영역이 결정되는 것을 특징으로 하고, 상기 상변화층에서 상기 상변화물질은 Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 칼코제나이드 물질로 이루어진 상변화 메모리 셀
3 3
하부전극과 상부전극 사이에 형성되는 상변화층은 상변화물질과 절연물질이 혼합된 물질을 포함하고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리되며, 상기 분리된 상변화물질에 의해 상변화영역이 결정되는 것을 특징으로 하고, 상기 상변화층에서 상기 상변화물질은 GeaSbbTec(a, b, b는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a,b,c003c#1)인 상변화 메모리 셀
4 4
하부전극과 상부전극 사이에 형성되는 상변화층은 상변화물질과 절연물질이 혼합된 물질을 포함하고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리되며, 상기 분리된 상변화물질에 의해 상변화영역이 결정되는 것을 특징으로 하고, 상기 상변화물질은 IndAgeSbfTeg(d,e,f, g는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0003c#d,e,f,g003c#1)인 상변화 메모리 셀
5 5
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연물질은, SiOx(x=1∼4), SiN, Si3N4, SiC, TiOx(x=1∼4), AlO, Al2O3, AlN, ZrC, ZrB2, MgO, BeO 및 BN으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 상변화 메모리 셀
6 6
제5항에 있어서, 상기 상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
7 7
제5항에 있어서, 상기 상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
8 8
하부전극과 상부전극 사이에 형성되는 상변화층은 상변화물질과 절연물질이 혼합된 물질을 포함하고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리되며, 상기 분리된 상변화물질에 의해 상변화영역이 결정되는 것을 특징으로 하고, 상기 절연물질에 의해 분리된 상기 상변화물질이 제공하는 상변화 영역의 크기는 20nm보다 작은 크기를 갖는 상변화 메모리 셀
9 9
하부전극; 상기 하부전극 상의 순수한 상변화물질로 이루어진 제1상변화층; 상기 제1상변화층 상에서 상변화물질과 절연물질이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된 제2상변화층; 상기 제2상변화층 상에 형성되며 순수한 상변화물질로 이루어진 제3상변화층; 및 상기 제3상변화층 상의 상부전극 을 포함하는 상변화 메모리 셀
10 10
제9항에 있어서, 상기 제2상변화층에서 상기 상변화물질은, Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 칼코제나이드 물질, GeaSbbTec(a, b, b는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a,b,c003c#1) 또는 IndAgeSbfTeg(d,e,f, g는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0003c#d,e,f,g003c#1) 중에서 선택되는 어느 하나인 상변화 메모리 셀
11 11
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 절연물질은, SiOx(x=1∼4), SiN, Si3N4, SiC, TiOx(x=1∼4), AlO, Al2O3, AlN, ZrC, ZrB2, MgO, BeO 및 BN으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어진 상변화 메모리 셀
12 12
제11항에 있어서, 상기 제2상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
13 13
제11항에 있어서, 상기 제2상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
14 14
제11항에 있어서, 상기 제1 및 제3 상변화층은, Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 칼코제나이드 물질, GeaSbbTec(a, b, b는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a,b,c003c#1) 또는 IndAgeSbfTeg(d,e,f, g는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0003c#d,e,f,g003c#1) 중에서 선택되는 어느 하나인 상변화 메모리 셀
15 15
제9항에 있어서, 상기 절연물질에 의해 분리된 상기 상변화물질이 제공하는 상변화 영역의 크기는 20nm보다 작은 크기를 갖는 상변화 메모리 셀
16 16
삭제
17 17
하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 상변화물질과 절연물질이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된 상변화층을 형성하는 단계; 및 상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상변화층을 형성하는 단계는, 상변화물질타겟과 절연물질타겟을 함께 이용한 스퍼터 증착으로 형성하거나,상변화물질소스와 절연물질소스를 함께 이용한 증착법 또는 증발법을 통해 상기 상변화물질과 절연물질을 동시에 증착하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
18 18
하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 상변화물질과 절연물질이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된 상변화층을 형성하는 단계; 및 상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상변화층을 형성하는 단계는, 상변화물질과 절연물질이 함께 섞여 있는 단일 스퍼터타겟을 이용한 스퍼터 증착으로 형성하거나, 상변화물질소스와 절연물질소스가 함께 섞여 있는 단일 증발소스를 이용한 증발법을 통해 상기 상변화물질과 절연물질을 동시에 증착하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
19 19
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 절연물질에 의해 분리된 상기 상변화물질이 제공하는 상변화 영역의 크기는 20nm보다 작은 크기를 갖는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
20 20
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 상변화층의 상변화물질은, Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 칼코제나이드 물질, GeaSbbTec(a, b, b는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a,b,c003c#1) 또는 IndAgeSbfTeg(d,e,f, g는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0003c#d,e,f,g003c#1) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 상변화층의 절연물질은, SiOx(x=1∼4), SiN, Si3N4, SiC, TiOx(x=1∼4), AlO, Al2O3, AlN, ZrC, ZrB2, MgO, BeO 및 BN으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 형성하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
23 23
제21항에 있어서, 상기 상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
24 24
하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 순수한 상변화물질로 이루어진 제1상변화층을 형성하는 단계; 상기 제1상변화층 상에 상변화물질과 절연물질이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된 제2상변화층을 형성하는 단계; 상기 제2상변화층 상에 순수한 상변화물질로 이루어진 제3상변화층을 형성하는 단계; 및 상기 제3상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계 를 포함하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 제2상변화층을 형성하는 단계는, 상변화물질타겟과 절연물질타겟을 함께 이용한 스퍼터 증착으로 형성하거나,상변화물질소스와 절연물질소스를 함께 이용한 증착법 또는 증발법을 통해 상기 상변화물질과 절연물질을 동시에 증착하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
26 26
제24항에 있어서, 상기 제2상변화층을 형성하는 단계는, 상변화물질과 절연물질이 함께 섞여 있는 단일 스퍼터타겟을 이용한 스퍼터 증착으로 형성하거나, 상변화물질소스와 절연물질소스가 함께 섞여 있는 단일 증발소스를 이용한 증발법을 통해 상기 상변화물질과 절연물질을 동시에 증착하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
27 27
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연물질에 의해 분리된 상기 상변화물질이 제공하는 상변화 영역의 크기는 20nm보다 작은 크기를 갖는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
28 28
제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2상변화층의 상변화물질은, Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 칼코제나이드 물질, GeaSbbTec(a, b, b는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a,b,c003c#1) 또는 IndAgeSbfTeg(d,e,f, g는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0003c#d,e,f,g003c#1) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
29 29
제28항에 있어서, 상기 제2상변화층의 절연물질은, SiOx(x=1∼4), SiN, Si3N4, SiC, TiOx(x=1∼4), AlO, Al2O3, AlN, ZrC, ZrB2, MgO, BeO 및 BN으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나의 화합물로 형성하는 상변화 메모리 셀의 제조 방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 제2상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
31 31
제29항에 있어서, 상기 제2상변화층에서 상기 절연물질의 체적비 함량은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.