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적외선 광정류기가 포함된 양자점 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014050316
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점발광다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 양자점 디스플레이에서 발광 화소 주변에 적외선을 흡수할 수 있는 유기 또는 무기물 반도체 화소를 삽입하여 in-cell방식의 광감지 터치패널 소자의 구조를 단순화 할 수 있는 양자점발광다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H05B 33/10 (2006.01.01) H05B 33/14 (2006.01.01)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020110024608 (2011.03.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0106476 (2012.09.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
2 이현구 대한민국 서울특별시 영등포구
3 이동구 대한민국 경상남도 함안군

대리인

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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0201901-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098805-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0391975-03
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0691469-13
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0903450-19
8 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0136198-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0325384-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적, 녹, 청으로 이루어지 양자점 발광다이오드를 이용한 디스플레이에 있어서, 발광 화소 주변에 적외선을 흡수하는 유기물 또는 무기물 반도체 화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,발광 또는 적외선을 흡수하는 양자점 화소는 스탬프 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,적외선을 흡수하는 유기 반도체는 진공 증착, 스크린 인쇄 (screen printing), 잉크젯 프린팅 및 μ-컨택 프린팅로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상의 방법을 사용하여 수행되는 양자점 소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,각 양자점 화소는 정공 및 전자 주입층 및 수송층을 포함하거나 하지 않을 수 있고, 포함 할 경우 유기층, 또는 유기층에 p 또는 n형 물질을 도핑하거나, 금속산화물 등의 무기나노입자로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점발광다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,전극은 금속(Al, Au, Ag, Ca, Ag:Mg, Ag:Yb 등) 또는 산화물금속(ITO, IZO)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 중견연구자지원 나노 복합구조를 이용한 고효율 유기태양전지 기술
2 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 기후변화대응기초원천기술개발사업 고효율 고분자-나노입자 하이브리드 태양전지 구조 연구