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나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015112081
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판(substrate) 상에 유기분자 박막을 형성시킨 다음, 열처리에 의해 유기분자들의 자기조립(self-assembly)을 유도하고, 이에 따라 형성된 일정한 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착(stanning)시킨 후, 에칭(etching)하는 단계를 포함하는 나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴은 기록소자, 탄소나노튜브 제조용 주형(template), 새로운 나노패턴의 형성을 위한 마스크, 분리용 막의 소재 개발 등에 유용하게 활용될 수 있다. 나노패턴, 유기분자, 자기조립, 화학흡착, 에칭
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B22F 1/0044(2013.01) B22F 1/0044(2013.01) B22F 1/0044(2013.01) B22F 1/0044(2013.01)
출원번호/일자 1020030032514 (2003.05.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0548017-0000 (2006.01.24)
공개번호/일자 10-2004-0100239 (2004.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.22)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전광역시유성구
2 권기영 대한민국 경상북도포항시북구
3 이수림 대한민국 강원도양양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0181565-14
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0203286-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009382-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0351396-19
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0515043-63
9 의견서
Written Opinion		 2005.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0515032-61
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0035701-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노미터 또는 그 이하 사이즈의 패턴을 형성하는 방법:(a) 기판 상에 자기조립을 유발하는 디스크형 덴드리머, 쐐기형(fan-shaped) 및 원뿔형 유기분자로 구성된 군에서 선택된 하나의 유기분자의 박막을 형성하는 단계;(b) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계;(c) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계; 및(d) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에 패턴구조의 방향성을 조절하기 위하여 기판 표면을 개질하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 기판 표면의 개질은 기판 상에 금속 및 비금속, 유기물 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 유기분자는 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, (a) 단계의 박막은 스핀코팅(spin-coating), 문지르기(rubbing), 또는 수면에 박막을 형성하여 뜨는 방식(solution spreading) 을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, (b) 단계는 액정 상변이온도 이상으로 올린 후에 서냉하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항에 있어서, (c) 단계는 유기분자의 중심부분을 RuO₄(ruthenium tetraoxide) 화합물을 이용하여 선택적으로 화학흡착시키는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제1항에 있어서, (d) 단계는 반응성 이온 에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항에 의해 형성된 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 기판에 나노패턴을 형성하는 방법
11 11
제3항에 의해 형성된 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 비금속 박막 또는 금속박막을 식각하는 것을 특징으로 하는 비금속 또는 금속 박막에 나노패턴을 형성하는 방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 식각은 반응성 이온 에칭 및/또는 이온밀링을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제10항의 방법에 의해 제조된 복수개의 나노패턴을 복수 개 결합하는 것을 특징으로 하는 분리용 막(membrane)의 제조방법
14 14
제10항의 방법에 의해 제조된 요홈의 나노패턴이 형성되어 있는 기판을 2n개 결합하여 이루어지는 분리용 막 (여기서 n은 자연수이다)
15 15
하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고밀도 기록재료용 자성금속 박막의 나노패턴 형성방법: (a) 기판 상에 자성금속 박막을 형성하는 단계; (b) 상기 자성금속 박막위에 자기조립을 유발하는 유기분자의 박막을 형성하는 단계; (c) 열처리(annealing)에 의해 상기 유기분자들을 자기조립시켜 규칙적인 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 유기분자들의 자기조립에 의해 형성된 규칙적인 구조에 선택적으로 금속을 화학흡착시키는 단계; (e) 상기 선택적으로 금속이 화학흡착된 박막을 에칭하여 금속이 흡착되지 않은 부분을 제거하여 유기분자의 나노패턴을 제작하는 단계; 및 (f) 상기 유기분자의 나노패턴을 마스크로 하여 자성금속 박막을 식각하는 단계
16 16
제15항에 있어서, (e) 단계의 에칭은 반응성 이온 에칭이고, (f) 단계의 식각은 이온밀링을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제15항에 있어서, 자성금속은 Fe, Ni, Co, Cr 또는 Pt이거나, 상기 원소중 하나이상을 함유하는 합금인 것을 특징으로 하는 방법
18 17
제15항에 있어서, 자성금속은 Fe, Ni, Co, Cr 또는 Pt이거나, 상기 원소중 하나이상을 함유하는 합금인 것을 특징으로 하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03898198 JP 일본 FAMILY
2 JP17022076 JP 일본 FAMILY
3 KR100549104 KR 대한민국 FAMILY
4 US20040235199 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1572721 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2005022076 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP3898198 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2004235199 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.