맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

블록공중합체의 나노구조와 일치하지 않는 형태의 표면패턴상에 형성되는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015112812
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 블록공중합체의 나노구조와 일치하지 않는 형태의 표면패턴상에 형성되는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 블록공중합체의 주기와 일치하지 않는 주기를 가지는 패턴으로 패턴화된 기판에서 상에 블록공중합체 박막을 형성한 뒤 열처리하여 제조한 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 패턴화된 기판상에서 블록공중합체의 나노구조체를 제조하되, 패턴의 주기를 블록공중합체의 주기와 일치시키는 과정을 거치지 않는 간소화된 공정으로 나노구조체를 제조할 수 있고, 블록공중합체의 각 블록의 상대적인 조성비 및 분율에 따라 또는 패턴의 주기에 따라 다양한 구조의 나노구조체를 구현할 수 있으며, 나노구조체의 정렬도를 임의로 제어할 수 있어, 나노와이어, 나노닷 어레이와 같은 나노스케일의 구조를 용이하게 제작할 수 있고, 다양한 용도로 실제 산업에 응용할 수 있다. 패턴, 자기조립, 블록 공중합체, 나노구조
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070093708 (2007.09.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0930966-0000 (2009.12.02)
공개번호/일자 10-2009-0028246 (2009.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20091210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.14)
심사청구항수 25

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전 유성구
2 신동옥 대한민국 대전 유성구
3 김봉훈 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0668148-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0080009-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0184170-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0398307-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0398275-29
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496044-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 블록공중합체의 자기조립 나노구조체를 제조하는 방법: (a) 기판에 중성층을 형성하는 단계; (b) 상기 중성층이 형성된 기판을 블록공중합체의 주기보다 큰 주기를 가지는 패턴으로 패턴화하는 단계; (c) 상기 패턴화된 기판에 블록공중합체 박막을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 블록공중합체를 열처리하여 자기조립을 유도한 다음 나노구조체를 수득하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 중성층은 유기단분자층인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 유기단분자층은 자기조립 단분자층 또는 고분자 브러쉬층인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 자기조립 단분자층은 펜틸트리클로로시란(Phenethyltrichlorosilane: PETCS), 페닐트리클로로실란(Phenyltrichlorosilane: PTCS), 벤질트리클로로실란(Benzyltrichlorosilane: BZTCS), 토일트리클로로실란(Tolyltrichlorosilane: TTCS), 2-[(트리메톡시실일)에틸]-2-피리딘[2-{(trimethoxysilyl)ethl}-2-pyridine: PYRTMS)], 4-바이페닐일트리메톡시실란(4-biphenylyltrimethowysilane: BPTMS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane: OTS), 1-나프틸트리메톡시실란(1-Naphthyltrimehtoxysilane: NAPTMS), 1-{(트리메톡시실일)메틸}나프탈렌[1-{(trimethoxysilyl)methyl]}naphthalene: MNATMS] 및 (9-메틸안트라세닐)트리메톡시실란{(9-methylanthracenyl)trimethoxysilane: MANTMS}으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 고분자 브러쉬층은 폴리(스티렌-랜덤-메틸메타크릴레이트){poly(styrene-ran-methylmethacrylate): PS-r-PMMA} 브러쉬층인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 패턴화는 탑-다운(top down) 방식의 리소그라피(lithopgraphy)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 패턴화된 기판의 표면은 중성표면 및 선택적표면으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 블록공중합체는 폴리스티렌(polystyrene)과 폴리스티렌 이외의 고분자가 공유결합한 형태의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스티렌:폴리스티렌 이외의 고분자의 조성비가 0
10 10
제8항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스티렌:폴리스티렌 이외의 고분자의 조성비가 0
11 11
제8항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스티렌:폴리스티렌 이외의 고분자의 조성비가 0
12 12
제8항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스티렌:폴리스티렌 이외의 고분자의 조성비가 0
13 13
제8항에 있어서, 상기 블록공중합체는 PS-b-PMMA{poly(styrene-b-methylmetahcrylate)}, PS-b-PB{poly(styrene-b-butadiene), PS-b-PI{poly(styrene-b-isoprene)}, PS-b-PEP{poly(styrene-b-ethylene propylene)}, PS-b-PDMS{poly(styrene-b-dimethylsiloxane)}, PS-b-PE{poly(styrene-b-ethylene)}, PS-b-P4VP{poly(styrene-b-vinylpyridine)} 및 PS-b-PEO{poly(styrene-b-ethyleneoxide)}로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 중성층이 자기조립 단분자층이고, 상기 기판상에 DI water 층을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 패턴의 주기는 블록공중합체의 주기보다 큰 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 패턴의 형태는 선형 또는 비선형인 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제9항의 방법으로 제조되며, 중성표면 및 선택적표면으로 구성되는 패턴화된 기판상에 블록공중합체 박막을 포함하되, 상기 패턴의 주기가 블록공중합체의 주기보다 큰 것을 특징으로 하는 실린더(cylinder)형 나노구조체
18 18
제17항에 있어서, 상기 중성표면에서는 실린더형 블록공중합체가 기판에 수직으로 배향되고, 상기 선택적표면에서는 실린더형 블록공중합체가 기판에 평행하게 배향되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
19 19
제17항에 있어서, 상기 블록공중합체 박막의 두께가 감소할수록 나노구조체의 정렬도가 향상되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
20 20
제10항의 방법으로 제조되며, 중성표면 및 선택적표면을 구성되는 패턴화된 기판상에 블록공중합체 박막을 포함하되, 상기 패턴의 주기가 블록공중합체의 주기보다 큰 것을 특징으로 하는 라멜라(lamella)형 나노구조체
21 21
제20항에 있어서, 상기 중성표면에서는 라멜라형 블록공중합체가 기판에 수직으로 배향되고, 상기 선택적표면에서는 라멜라형 블록공중합체가 기판에 평행하게 배향되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
22 22
제20항에 있어서, 상기 블록공중합체 박막의 두께가 증가할수록 나노구조체의 정렬도가 향상되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
23 23
제20항에 있어서, 상기 중성표면의 너비가 감소할수록 나노구조체의 정렬도가 저하되는 것을 특징으로 하는 나노구조체
24 24
제11항의 방법으로 제조되며, 중성표면 및 선택적표면을 구성되는 패턴화된 기판상에 블록공중합체 박막을 포함하되, 상기 패턴의 주기가 블록공중합체의 주기보다 큰 것을 특징으로 하는 구(sphere)형 나노구조체
25 25
제12항의 방법으로 제조되며, 중성표면 및 선택적표면을 구성되는 패턴화된 기판상에 블록공중합체 박막을 포함하되, 상기 패턴의 주기가 블록공중합체의 주기보다 큰 것을 특징으로 하는 자이로이드(gyroid)형 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09005756 US 미국 FAMILY
2 US20090075002 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009075002 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9005756 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.