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패턴화된 구조를 가지는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113280
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴화된 구조를 가지는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 유기물 포토레지스트 패턴을 형성한 후 블록공중합체의 자기조립 나노구조를 유도하는 방법에 의해 제조되는, 패턴화된 구조를 가지는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 유기물 포토레지스트를 사용하여 블록공중합체의 나노구조체 제조 후 포토레지스트의 제거가 용이하고, 제조과정 중에 포토레지스트 패턴의 요철 형태를 조절함으로써, 최종적으로 제조되는 블록공중합체의 나노구조체의 구조를 제어함으로써 원하는 형태의 블록공중합체의 나노구조체를 제조할 수 있어 다양한 분야에 적용가능하다.유기물 포토레지스트, 리소그라피, 블록공중합체, 나노구조체, 자기조립
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080126655 (2008.12.12)
출원인 한국과학기술원, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-1148208-0000 (2012.05.15)
공개번호/일자 10-2010-0068014 (2010.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.12)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 정성준 대한민국 대전광역시 유성구
3 이수미 대한민국 경기도 화성시
4 김봉훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 김지은 대한민국 대전광역시 유성구
6 남승호 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0857504-45
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0331821-56
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0360075-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043189-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0036327-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0116825-54
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0116863-89
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0559380-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0939721-30
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0939687-75
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0252094-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는, 유기물 포토레지스트 패턴(photo resistor pattern)을 이용한 블록공중합체의 나노구조체 제조방법:(a) 기판상에 유기 단분자층을 형성하는 단계;(b) 상기 유기 단분자층 상에 리소그라피(lithography)를 이용하여 유기물 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 유기물 포토레지스트 패턴이 형성된 기판의 상기 유기물 포토레지스트 패턴에 의해서 노출되는 상기 유기 단분자층 상에 블록공중합체 박막을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 유기물 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상의 상기 블록공중합체 박막을 열처리하여 상기 유기물 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 유기 단분자층 상에 자기조립 나노구조체를 형성하는 단계
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기단분자층은자기조립 단분자층(Self-assembled Monolayer: SAM), 폴리머 브러쉬(Polymer Brush) 및 가교된 랜덤 공중합체 매트(cross-linked random copolymer mat:MAT)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 자기조립 단분자층은페네틸트리클로로실란(Phenethyltrichlorosilane: PETCS), 페닐트리클로로실란(Phenyltrichlorosilane: PTCS), 벤질트리클로로실란(Benzyltrichlorosilane: BZTCS), 톨릴트리클로로실란(Tolyltrichlorosilane: TTCS), 2-[(트리메톡시실릴)에틸]-2-피리딘(2-[(trimethoxysilyl)ethl]-2-pyridine: PYRTMS)), 4-바이페닐릴트리메톡시실란(4-biphenylyltrimethoxysilane: BPTMS), 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane: OTS), 1-나프틸트리메톡시실란(1-Naphthyltrimehtoxysilane: NAPTMS), 1-[(트리메톡시실릴)메틸]나프탈렌(1-[(trimethoxysilyl)methyl]naphthalene: MNATMS) 및 (9-메틸안트라세닐)트리메톡시실란{(9-methylanthracenyl)trimethoxysilane: MANTMS}으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 폴리머 브러쉬는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체[polystyrene-random-poly(methylmethacrylate): PS-r-PMMA]인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 가교된 랜덤 공중합체 매트(cross-linked random copolymer mat:MAT)는 벤조사이클로부텐을 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체[beznocyclobutene-functionalized polystyrene-r-poly(methacrylate) copolymer: P(s-r-BCB-r-MMA)]인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 리소그라피는 광리소그라피, 소프트리소그라피, 나노임프린트 및 스캐닝 프로브 리소그라피(Scanning Probe Lithography)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 유기물 포토레지스트는 노볼락(Novolac) 고분자, 폴리비닐페놀(polyvinylphenol: PVP), 아크릴레이트(acrylate), 노보닌(Norbornene) 고분자, 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene:PTFE), 실세스퀴옥산(silsesquioxane) 고분자, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: PMMA), 터폴리머(Terpolymer), 폴리-1-부텐 술폰 [poly(1-butene sulfone): PBS], 노볼락계 포지티브 전자 레지스트(Novolac based Positive electron Resist: NPR), 폴리(메틸 알파클로로아크릴레이트-알파메틸스티렌 공중합체 (poly(methyl-α-chloroacrylate-co-α-methyl styrene: ZEP), 폴리(글리시딜 메타크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체(glycidyl methacrylate-co-ethyl acrylate: COP) 및 폴리클로로메틸스티렌(polychloromethylstyrene: PCMS)으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스틸렌(polystyrene)과 폴리스틸렌 이 외의 고분자가 공유결합한 형태의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 블록공중합체는폴리스티렌-블록-폴리(메틸메타크릴레이트) [polystyrene-block-poly(methylmethacrylate): PS-b-PMMA], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌 옥사이드) [polystyrene-block-poly(ethylene oxide): PS-b-PEO], 폴리스티렌-블록-폴리(비닐 피리딘) [polystyrene-block-poly(vinyl pyridine): PS-b-PVP], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌-아트-프로필렌) [Polystyrene-block-poly(ethylene-alt-propylene): PS-b-PEP] 및 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌[polystyrene-block-polyisoprene: PS-b-PI]로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
13 13
삭제
14 14
제10항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
15 15
삭제
16 16
제10항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
17 17
삭제
18 18
제10항에 있어서, 상기 블록공중합체의 폴리스틸렌:폴리스틸렌 이 외의 고분자의 조성비는 0
19 19
삭제
20 20
다음의 단계를 포함하는, 유기물 포토레지스트 패턴을 이용한 블록공중합체의 나노구조체 제조방법:(a) 기판상에 리소그라피를 이용하여 유기물 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 기판의 상기 유기물 포토레지스트 패턴을 통해서 노출되는 영역에 실린더형의 블록공중합체 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 유기물 포토레지스트 패턴이 형성된 기판상의 상기 실린더형의 블록공중합체를 열처리하여, 상기 유기물 포토레지스트 패턴을 통해서 노출되는 영역에 제1 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계;(d) 상기 제1 자기조립 나노구조체 상에 판상형의 블록공중합체 박막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 유기물 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 자기조립 나노구조체가 형성된 기판 상의 상기 판상형의 블록공중합체를 열처리하여 상기 제1 자기조립 나노구조체 상에 제2 자기조립 나노구조체를 형성시키는 단계
21 21
제20항에 있어서, 상기 리소그라피는 광리소그라피, 소프트리소그라피, 나노임프린트 및 Scanning Probe Lithography로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 유기물 포토레지스트는 노볼락(Novolac) 고분자, 폴리비닐페놀(polyvinylphenol: PVP), 아크릴레이트(acrylate), 노보닌(Norbornene) 고분자, 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene:PTFE), 실세스퀴옥산(silsesquioxane) 고분자, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: PMMA), 터폴리머(Terpolymer), 폴리-1-부텐 술폰 [poly(1-butene sulfone): PBS], 노볼락계 포지티브 전자 레지스트(Novolac based Positive electron Resist: NPR), 폴리(메틸-알파클로로아크릴레이트-알파메틸스티렌 공중합체 (poly(methyl-α-chloroacrylate-co-α-methyl styrene: ZEP), 폴리(글리시딜 메타크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체(glycidyl methacrylate-co-ethyl acrylate: COP) 및 폴리클로로메틸스티렌(polychloromethylstyrene: PCMS)으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
23 23
제20항에 있어서, 상기 실린더형 및 판상형의 블록공중합체들 각각은폴리스틸렌(polystyrene)과 폴리스틸렌 이 외의 고분자가 공유결합한 형태의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 실린더형 및 판상형의 블록공중합체들 각각은폴리스티렌-블록-폴리(메틸메타크릴레이트) [polystyrene-block-poly(methylmethacrylate): PS-b-PMMA], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌 옥사이드) [polystyrene-block-poly(ethylene oxide): PS-b-PEO], 폴리스티렌-블록-폴리(비닐 피리딘) [polystyrene-block-poly(vinyl pyridine): PS-b-PVP], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌-아트-프로필렌) [Polystyrene-block-poly(ethylene-alt-propylene): PS-b-PEP] 및 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌[polystyrene-block-polyisoprene: PS-b-PI]로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
25 25
제20항 내지 제24항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며, 패턴화된 구조를 가지는 블록공중합체의 판상형 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
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3 US20100151393 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2010151393 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8486613 US 미국 DOCDBFAMILY
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