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근접장 나노패터닝, 원자층 증착법 및 용액공정을 이용한 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114559
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 포토레지스트(photoresist)를 기판 위에 도포하는 단계; (b) 근접장 나노 패터닝(proximity-field nanopatterning) 방법을 통하여 상기 포토레지스트를 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴의 기공이 형성되도록 하는 단계; (c) 제1 금속 전구체를 이용한 원자층 증착법에 의해 상기 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴이 형성된 포토레지스트를 주형(template)으로 상기 3차원 다공성 기공내에 제1 금속 산화물을 도입시키는 단계; 및 (d) 상기 포토레지스트 주형을 제거함으로써, 상기 포토레지스트에 형성된 3차원 다공성 나노구조의 역상(inverse form) 형태의 3차원 나노구조화된 다공성의 제1 금속 산화물을 얻는 단계; e) 상기 3차원 나노구조화된 제1 금속산화물 내부 또는 표면상에 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물을 형성하는 단계;를 포함하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 복합차원 나노구조의 금속산화물에 관한 것이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020130061276 (2013.05.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1391730-0000 (2014.04.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.29)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전석우 대한민국 대전 유성구
2 안창의 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 이시근 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0479530-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0030585-64
4 등록결정서
Decision to grant
2014.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0283812-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 포토레지스트(photoresist)를 기판 위에 도포하는 단계; (b) 근접장 나노 패터닝(proximity-field nanopatterning) 방법을 통하여 상기 포토레지스트를 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴의 기공이 형성되도록 하는 단계; (c) 제1 금속 전구체를 이용한 원자층 증착법에 의해 상기 주기적인 3차원 다공성 나노구조 패턴이 형성된 포토레지스트를 주형(template)으로 상기 3차원 다공성 기공내에 제1 금속 산화물을 도입시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트 주형을 제거함으로써, 상기 포토레지스트에 형성된 3차원 다공성 나노구조의 역상(inverse form) 형태의 3차원 나노구조화된 다공성의 제1 금속 산화물을 얻는 단계; 및 e) 상기 3차원 나노구조화된 제1 금속산화물 내부 또는 표면상에 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물을 형성하는 단계;를 포함하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 근접장 나노패터닝 방법에 사용되는 위상 마스크의 주기성 및 배열과 입사광의 파장을 조절함에 따라 3차원 나노구조화된 제1 금속산화물의 기공 사이즈와 주기성을 조절하는 것을 특징으로 하는, 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 전구체는 Ti, Al, Zn, Co, Ru, Ce중에서 선택되는 어느 하나의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 원자층 증착법은 50 내지 120 ℃ 의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 주형의 제거는 열처리 또는 유기용매를 처리함으로써 주형이 제거되는 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 열처리는 400 ℃ 내지 1000 ℃ 의 범위에서 30분 내지 24시간 수행하는 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 유기 용매의 처리는 에탄올, PGMEA, NMP, 아세톤, 포토레지스트 현상액으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제2 금속산화물은 제1 금속산화물과 동일하거나 상이하며, Ti, Al, Zn, Co, Ru, Ce 중에서 선택되는 어느 하나의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제2 금속산화물은 상기 제2 금속산화물을 형성하기 위한 전구체의 산화에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 주형을 제거하여 3차원 나노구조화된 다공성의 제1금속 산화물을 얻는 단계 이후, 또는 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물을 형성하는 단계이후에 상기 나노구조의 금속산화물 표면에 도펀트 성분을 도핑하여 금속산화물의 표면 산소 결함농도를 조절하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 도핑되는 금속성분은 전이금속, 질소, 할로겐, 산소, 황 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물 제조 방법
12 12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 제조되는 복합차원 나노구조를 갖는 금속산화물
13 13
제 12항에 기재된 금속 산화물을 포함하는 수소 생산용 재료
14 14
다공성의 3차원 나노구조를 갖는 금속 산화물내에 각각의 축방향으로 규칙적이거나 또는 불규칙적인 형태를 갖는 나노사이즈의 기공들이 3차원적으로 서로 연결되거나 또는 부분적으로 서로 연결되어 채널을 형성한, 3차원 다공성 나노구조를 갖는 제1 금속산화물; 및 상기 3차원 다공성 나노구조화된 제1 금속산화물 내부 또는 표면상에 형성되는 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물;을 포함하는 복합차원 나노구조의 금속산화물
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 및 제2 금속 산화물은 서로 동일하거나 상이하며, 각각의 금속성분은 Ti, Al, Zn, Co, Ru, Ce중에서 선택되는 어느 하나의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합차원 다공성 나노구조를 갖는 금속산화물
16 16
제 14항에 있어서, 상기 3차원 다공성 나노구조를 갖는 제1 금속산화물내 나노 사이즈의 기공의 크기는 50 내지 2000 nm의 범위인 것을 특징으로 하는 복합차원 다공성 나노구조를 갖는 금속산화물
17 17
제 14 항에 있어서,상기 3차원 다공성 나노구조를 갖는 금속산화물 및 1차원 나노 구조의 제2 금속산화물 중 적어도 하나는 금속산화물의 표면 산소 결함농도를 조절하기 위해 나노구조의 금속산화물 표면에 도펀트 성분을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 도펀트 성분은 전이금속, 질소, 할로겐, 산소, 황 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 복합차원 나노구조의 금속산화물
19 19
제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 복합차원 나노구조의 금속 산화물을 포함하는 수소 생산용 재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 원천기술개발사업 경기대학교 첨단융합기술개발사업 실시간 수소 생성, 제거용 나노 에너지 시스템 개발