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환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법, 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 실리콘 나노구조체 및 이를 포함하는 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2015115310
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법, 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 실리콘 나노구조체 및 이를 포함하는 리튬 이차전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법은 실리콘 함유 블록공중합체를 자기조립시켜, 상기 실리콘이 실리카로 산화된 블록공중합체 패턴을 제조하는 단계; 및상기 자기조립된 블록공중합체 패턴의 실리카를 환원시켜, 상기 자기조립된 블록공중합체 패턴에 대응되는 패턴의 실리콘 나노구조체를 제조하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 자기조립 방식과 마그네슘 환원 방식을 결합시킨 공정으로 실리콘 나노구조체를 제조한다. 그 결과, 원하는 크기의 나노구조체를 자기조립 공정의 조절을 통하여 제조할 수 있으며, 10nm 이하 크기의 나노구조체 제조가 가능하다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) B82B 3/00 (2006.01) H01M 4/38 (2006.01)
CPC H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01) H01M 4/362(2013.01)
출원번호/일자 1020110104191 (2011.10.12)
출원인 한국과학기술원, 주식회사 케이씨씨
등록번호/일자 10-1340038-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0039555 (2013.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연식 대한민국 대전광역시 유성구
2 유정근 대한민국 서울 은평구
3 이호준 대한민국 대전광역시 서구
4 공병선 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이씨씨 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0797807-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0001032-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0286030-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5079011-59
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0574117-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0594810-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0594807-90
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802334-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘기가 함유된 제 1 중합체와 실리콘기가 함유되지 않은 제 2 중합체를 포함하는 블록공중합체를 자기조립시켜, 상기 제 1 중합체의 실리콘기를 실리카(SiO2)로 산화시키는 단계; 상기 블록공중합체 중 제 2 중합체를 제거하여, 상기 블록공중합체를 패턴시키는 단계;마그네슘 환원 공정으로 상기 실리카를 실리콘으로 환원시키며, 동시에 마그네슘 화합물을 함유하는 나노구조체를 상기 패턴에 성장시키는 단계; 및상기 형성된 마그네슘 화합물만을 선택적으로 제거하여, 상기 패턴에 형성된 실리콘 나노구조체를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 마그네슘 환원 공정은 마그네슘과 상기 패턴된 블록공중합체를 동일 용기 내에서 열처리하는 방식으로 진행되며, 상기 환원 공정에 따라 상기 마그네슘은 기화되어, 상기 기화된 마그네슘이 상기 패턴된 블록공중합체와 반응하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 실리콘 함유 중합체는 폴리디메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노구조체 제조방법
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 실리콘 나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지
5 5
실리콘기가 함유된 제 1 중합체와 실리콘기가 함유되지 않은 제 2 중합체를 포함하는 블록공중합체를 자기조립시켜 블록공중합체 패턴을 제조하는 단계; 마그네슘 환원 공정으로 마그네슘 화합물 및 실리콘 옥시카바이드를 함유하는 나노구조체를 상기 패턴에 성장시키는 단계; 및상기 마그네슘 화합물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 마그네슘 환원 공정은 상기 블록공중합체 패턴과 마그네슘을 동일 용기에서 열처리하는 방식으로 진행되며, 이로써 상기 열처리에 의하여 생성된 마그네슘 가스가 생성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 실리콘 옥시카바이드 나노구조체는 상기 블록공중합체의 제 1 중합체 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제 2 중합체는 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제 1 중합체는 폴리디메틸실록산(PDMS)이고, 상기 제 2 중합체는 폴리스티렌 (polystyrene), 폴리비닐피리딘 (polyvinylpyridine), 폴리부틸메타크릴레이트(polybutylmethacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트 (polybutylmethacrylate), 폴리부타디엔 (polybutadiene), 폴리에틸렌 (polyethylene), 폴리이소프렌 (polyisoprene)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법
10 10
제 5항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 실리콘 옥시카바이드 나노구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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