| 1 |
1
기판상에 산화아연 씨앗층을 형성하는 단계(단계 1);아연 전구체 수용액 및 아민류 화합물 수용액을 혼합하여 수열합성용 전구용액을 제조하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 제조된 전구용액을 상기 단계 1에서 씨앗층이 형성된 기판 위에 적가하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3의 기판에 레이저를 조사하여 나노로드의 성장 및 패터닝을 동시에 수행하는 단계(단계 4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1에서 씨앗층은 화학증착법(chemical vapor deposition), 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), 졸-겔법(sol-gel) 및 열분해 방법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 산화아연 씨앗층은 졸-겔법(sol-gel) 또는 열분해 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 졸-겔법(sol-gel) 또는 열분해 방법에 사용되는 용매는 탄소수 1 내지 3의 알코올인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서, 상기 졸-겔법(sol-gel) 또는 열분해 방법으로 씨앗층을 형성할 때 사용되는 아연 전구체는 염화아연(ZnCl2), 황산아연(ZnSO4), 아연아세테이트(Zn(CH3CO2)2), 아연 사이트레이트 (Zn3[O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]2), 질산아연(Zn(NO3)2), 질산아연육수화물 (Zn(NO3)2·6H2O) 및 아연아세테이트이수화물 (Zn(OOCCH3)2·2H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1에서 씨앗층을 형성하기 전의 기판에 금, 백금, 은, 구리, 알루미늄, 주석, 니켈, 크롬, 코발트, 텅스텐 및 철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 아연전구체는 염화아연(ZnCl2), 황산아연(ZnSO4), 아연아세테이트(Zn(CH3CO2)2), 아연 사이트레이트(Zn3[O2CCH2C(OH)(CO2)CH2CO2]2), 질산아연(Zn(NO3)2), 질산아연육수화물 (Zn(NO3)2·6H2O) 및 아연아세테이트이수화물 (Zn(OOCCH3)2·2H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 아민류 화합물은 헥사메틸렌아민 (hexamethyleneamine), 헥사메틸렌테트라아민 (hexamethylenetetramine, HMT), 사이클로헥실아민(cyclohexylamine), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민 (diethanolamine) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 단계 3에서 상기 전구용액을 기판 위에 적가한 후 투명기판을 덮어주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 나노로드 패턴은 레이저 조사의 방향 및 시간에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노로드 패턴
|
