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ＣｏＦｅＺｒ을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015130987
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CoFeZr 강자성층을 포함하는 거대 자기저항 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 비자성층과 자유층을 포함하는 자기저항 구조체에 있어서, 상기 고정층 및/또는 자유층을 CoFeZr를 포함된 거대 자기저항 소자의 제조 방법을 제공하여 구조적 안정성 및 열적 안정성이 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11B 5/39 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020050004958 (2005.01.19)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0733782-0000 (2007.06.25)
공개번호/일자 10-2006-0084236 (2006.07.24) 문서열기
공고번호/일자 (20070702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성래 대한민국 서울 강남구
2 안황기 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0030188-87
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-5008055-91
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0436111-75
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-5075935-48
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-5084606-43
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-5095188-17
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0970584-81
8 의견서
Written Opinion		 2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0970583-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0204727-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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반강자성층, 고정층, 스페이서층 및 자유층을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법에 있어서,상기 자유층은 CoFe 타겟에 Zr 칩을 부착하여 하나의 타겟을 사용하거나, Co, Fe 및 Zr을 각각 별개의 타겟으로 사용하여 스퍼터링에 의해 상기 스페이서층 상에 형성시키는 것을 특징으로 하는 CoFeZr을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 스페이서층은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 한 물질이 포함되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 고정층은 상기 반강자성층 상에 CoFeZr을 포함하는 물질을 도포하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 CoFeZr을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
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반강자성층, 고정층, 스페이서층 및 자유층을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법에 있어서,상기 고정층은 CoFe 타겟에 Zr 칩을 부착하여 하나의 타겟을 사용하거나, Co, Fe 및 Zr을 각각 별개의 타겟으로 사용하여 스퍼터링에 의해 상기 반강자성층 상에 형성시키는 것을 특징으로 하는 CoFeZr을 포함하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
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제 12항에 있어서, 상기 스페이서층은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 한 물질을 포함하도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
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제 12항에 있어서, 상기 스페이서층은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 한 물질을 포함하도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 거대 자기 저항 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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