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하부 전극;상기 하부 전극 위에 배치되고, 인가되는 전계에 따라서 저항이 변화되는 저항 변화 물질로 형성된 복수의 나노 입자를 포함하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 위에 형성된 상부 전극을 포함하고,상기 복수의 나노 입자는 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 나노 입자는 그 내부에 금속 물질이 포함되고, 그 주위를 저항 변화 물질이 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화층은상기 복수의 나노 입자들 사이를 채우는 절연 물질을 내부에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 절연 물질은 PMMA(PolyMethylMethAcrylte)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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하부 전극;상기 하부 전극 위에 배치된 복수의 나노 입자와, 상기 복수의 나노 입자들 사이를 채우도록 상기 하부 전극 위에 형성되는 저항 변화 물질을 포함하는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 위에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 복수의 나노 입자는 절연 물질로 형성되어, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전계가 인가되면, 상기 복수의 나노 입자 사이 공간을 통해서 전도성 필라멘트가 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항 내지 제 4 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 나노 입자는 동일한 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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8
(a) 하부 전극 위에, 인가되는 전계에 따라서 저항이 변화되는 저항 변화 물질로 형성된 복수의 나노 입자를 배치하여 저항 변화층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 저항 변화층 위에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 나노 입자는 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 복수의 나노 입자는 그 내부에 금속 물질이 포함되고, 그 주위를 저항 변화 물질이 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계는(a1) 상기 하부 전극 위에 저항 변화 물질로 형성된 복수의 나노 입자를 배치하는 단계; 및 (a2) 상기 복수의 나노 입자들 사이를 절연물질로 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 절연 물질은 PMMA(PolyMethylMethAcrylte)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (a) 단계와 상기 (c) 단계 사이에,(b) 상기 복수의 나노 입자들에 전계를 인가하여 포밍을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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(b) 하부 전극 위에 절연물질로 형성된 복수의 나노 입자를 배치하고, 인가되는 전계에 따라서 저항이 변화되는 저항 변화 물질로, 상기 복수의 나노 입자들 사이를 채움으로써 저항 변화층을 형성하는 단계; (d) 상기 저항 변화층 위에 상부 전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전압을 인가하여 포밍 공정을 수행함으로써, 상기 복수의 나노 입자들 사이 공간을 통해서 전도성 필라멘트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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제 8 항 내지 제 11 항, 제 13 항, 및 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 나노 입자는 동일한 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
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