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멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015134518
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 4 비트/1셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자는 반도체 기판, 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역, 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드, 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역, 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드, 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역, 블로킹 옥사이드, 제 1 게이트, 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드, 저항 변화 영역, 제 2 게이트 및 소오스와 드레인을 포함한다. 멀티 펑션, 4 비트/1 셀, 저항 변화, 비휘발성 메모리 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090089387 (2009.09.22) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1074015-0000 (2011.10.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0032071 (2011.03.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20111017) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | 1020110065626; |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.09.22) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김태근 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 안호명 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전종일 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 서울특별시 강남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0580516-19 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0042022-97 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0206147-40 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0206143-68 |
| 6 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2011.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0296410-33 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0505238-87 |
| 8 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2011.07.01 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2011-0506816-35 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2011.07.01 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2011-0505259-35 |
| 10 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2011.07.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0379153-73 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되며 서로 이격되어 형성된 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드; 상기 제 1 터널링 옥사이드와 상기 제 2 터널링 옥사이드의 상면 각각에 형성된 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역; 상기 제 1 전하 포획 영역과 상기 제 2 전하 포획 영역의 상면 각각에 형성된 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드; 상기 제 3 터널링 옥사이드와 상기 제 4 터널링 옥사이드의 상면 각각에 형성된 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역; 상기 제 3 전하 포획 영역과 상기 제 4 전하 포획 영역의 상면 각각에 형성된 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드; 상기 제 5 터널링 옥사이드와 상기 제 6 터널링 옥사이드의 상면 각각에 형성된 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역; 상기 제 5 전하 포획 영역의 상면과 측면, 상기 제 5 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 3 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 3 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 1 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 1 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 1 터널링 옥사이드와 상기 제 2 터널링 옥사이드 사이의 반도체 기판의 상면, 상기 제 2 터널링 옥사이드의 측면, 상기 2 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 4 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 4 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 6 터널링 옥사이드의 측면 및 상기 제 6 전하 포획 영역의 측면과 상면에 형성되며, 중심에 단면이 Ｕ 형상으로 형성된 블로킹 옥사이드; 상기 블로킹 옥사이드의 상면에 형성되며 중심에 단면이 Ｕ 형상으로 형성된 제 1 게이트; 상기 Ｕ 형상이 형성되지 않은 상기 제 1 게이트의 상면에 서로 이격되어 형성된 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드; 상기 제 1 게이트의 Ｕ 형상 사이 및 상기 제 1 절연 옥사이드와 상기 제 2 절연 옥사이드 사이에 형성된 저항 변화 영역; 상기 저항 변화 영역의 상면, 제 1 절연 옥사이드의 상면 및 상기 제 2 절연 옥사이드의 상면에 형성된 제 2 게이트; 및 상기 제 1 터널링 옥사이드 및 상기 제 2 터널링 옥사이드의 각 외측의 상기 반도체 기판 내에 서로 분리되어 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화 영역은 페로브스카이트계 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 저항 변화 영역은 PbZrTiO3, PrCaMnO3, BaTiO3, SrTiO3, 또는 SrZrO3로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화 영역은 MgO, TiO2, NiO, ZrO2, HfO2 또는 CeO2로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화 영역은 상변화물질로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 저항 변화 영역은 GeSbTe로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 |
| 7 |
7 반도체 기판 상에 서로 이격되게 제 1 터널링 옥사이드와 제 2 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역과 제 2 전하 포획 영역, 제 3 터널링 옥사이드와 제 4 터널링 옥사이드, 제 3 전하 포획 영역과 제 4 전하 포획 영역, 제 5 터널링 옥사이드와 제 6 터널링 옥사이드 및 제 5 전하 포획 영역과 제 6 전하 포획 영역을 형성하는 단계; 상기 제 5 전하 포획 영역의 상면과 측면, 상기 제 5 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 3 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 3 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 1 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 1 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 1 터널링 옥사이드와 상기 제 2 터널링 옥사이드 사이의 반도체 기판의 상면, 상기 제 2 터널링 옥사이드의 측면, 상기 2 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 4 터널링 옥사이드의 측면, 상기 제 4 전하 포획 영역의 측면, 상기 제 6 터널링 옥사이드의 측면 및 상기 제 6 전하 포획 영역의 측면과 상면에 형성하며, 중심에 단면이 Ｕ 형상인 블로킹 옥사이드를 형성하는 단계; 상기 블로킹 옥사이드의 상면에 형성하며, 중심에 단면이 Ｕ 형상인 제 1 게이트를 형성하는 단계; 상기 제 1 터널링 옥사이드 및 제 2 터널링 옥사이드의 각 외측의 반도체 기판 내에 서로 분리하여 소오스와 드레인을 형성하는 단계; 상기 Ｕ 형상이 형성되지 않은 상기 제 1 게이트의 상면에 서로 이격하여 제 1 절연 옥사이드와 제 2 절연 옥사이드를 형성하는 단계; 상기 제 1 게이트의 Ｕ 형상 사이 및 상기 제 1 절연 옥사이드와 상기 제 2 절연 옥사이드 사이에 저항 변화 영역을 형성하는 단계; 및 상기 저항 변화 영역의 상면, 제 1 절연 옥사이드의 상면 및 상기 제 2 절연 옥사이드의 상면에 제 2 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR1020110093746 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 2 | WO2011037297 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2011037297 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1074015-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090922 출원 번호 : 1020090089387 공고 연월일 : 20111017 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110708 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20141011 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구... |
| 2 |
(권리자) 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구... |
| 2 |
(의무자) 고려대학교 산학협력단 서울 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2011년 10월 11일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0580516-19 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2011.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0042022-97 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0206147-40 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.03.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0206143-68 |
| 6 | 거절결정서 | 2011.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0296410-33 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0505238-87 |
| 8 | [분할출원]특허출원서 | 2011.07.01 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2011-0506816-35 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2011.07.01 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2011-0505259-35 |
| 10 | 등록결정서 | 2011.07.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0379153-73 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345096808 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1602 |
| 연구과제명 | BK21정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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